| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-55页 |
| ·纳米电子学概述 | 第11-16页 |
| ·电子的弹道输运 | 第11-12页 |
| ·相位干涉 | 第12-13页 |
| ·普适电导涨落 | 第13-14页 |
| ·库伦阻塞 | 第14-16页 |
| ·石墨烯概述 | 第16-25页 |
| ·石墨烯的发现与制备方法 | 第16-17页 |
| ·石墨烯的基本结构和性质 | 第17-21页 |
| ·石墨烯的电学特性 | 第21-25页 |
| ·硅烯概述 | 第25-30页 |
| ·硅烯的发现与制备方法 | 第25-27页 |
| ·硅烯的基本结构和性质 | 第27-29页 |
| ·硅烯的电学特性 | 第29-30页 |
| ·自旋电子学与谷电子学简介 | 第30-35页 |
| ·自旋电子学和自旋电子学器件 | 第30-33页 |
| ·谷电子学和谷电子学进展 | 第33-35页 |
| ·理论研究方法 | 第35-46页 |
| ·散射矩阵与转移矩阵的定义 | 第35-40页 |
| ·散射矩阵与转移矩阵的关系 | 第40-41页 |
| ·Landauer-Biittiker公式 | 第41-46页 |
| 参考文献 | 第46-55页 |
| 第二章 栅压调控普通瓜ashba自旋轨道耦合/普通石墨烯结构中电子的自旋极化输运 | 第55-68页 |
| ·研究背景 | 第55页 |
| ·理论模型 | 第55-58页 |
| ·数值结果和讨论 | 第58-61页 |
| ·本章小结 | 第61-63页 |
| 参考文献 | 第63-68页 |
| 第三章 界面自旋轨道耦合对自旋极化输运的影响 | 第68-81页 |
| ·研究背景 | 第68-69页 |
| ·理论模型 | 第69-73页 |
| ·数值结果与讨论 | 第73-76页 |
| ·本章小结 | 第76-78页 |
| 参考文献 | 第78-81页 |
| 第四章 硅烯材料中电子的自旋极化与谷极化输运 | 第81-96页 |
| ·研究背景 | 第81-82页 |
| ·理论模型 | 第82-85页 |
| ·数值结果与讨论 | 第85-88页 |
| ·本章小结 | 第88-90页 |
| 参考文献 | 第90-96页 |
| 第五章 总结和展望 | 第96-101页 |
| ·总结 | 第96-97页 |
| ·展望 | 第97-99页 |
| 参考文献 | 第99-101页 |
| 博士期间发表和待发表的论文 | 第101-103页 |
| 致谢 | 第103-104页 |