MgZnO靶材的制备与性能研究
摘要 | 第1-6页 |
Abstract | 第6-11页 |
第1章 绪论 | 第11-26页 |
·ZnO性质 | 第11-13页 |
·ZnO掺杂 | 第12-13页 |
·MgZnO概论 | 第13-16页 |
·MgZnO TFT | 第14-15页 |
·MgZnO紫外探测器 | 第15-16页 |
·靶材概论 | 第16-19页 |
·靶材分类 | 第16-17页 |
·靶材的制备方法 | 第17页 |
·溅射靶材的应用 | 第17-18页 |
·溅射靶材的存在问题 | 第18-19页 |
·靶材的研究现状及制备技术分析 | 第19-22页 |
·国内外靶材的研究进展情 | 第19-20页 |
·MgZnO靶材的基本性能要求 | 第20-21页 |
·靶材的烧结技术 | 第21-22页 |
·MgZnO靶材的烧结原理 | 第22页 |
·MgZnO薄膜的制备 | 第22-24页 |
·磁控溅射技术 | 第23页 |
·脉冲激光沉积技术(PLD) | 第23-24页 |
·分子束外延MBE | 第24页 |
·本文的研究内容及创新点 | 第24-26页 |
·研究内容 | 第24-25页 |
·创新点 | 第25-26页 |
第2章 样品的制备及实验方法 | 第26-33页 |
·MgZnO靶材的制备 | 第26-28页 |
·MgZnO靶材原料的配料与混料 | 第26-27页 |
·靶材的成型与烧结 | 第27页 |
·Mg含量的影响 | 第27-28页 |
·MgZnO薄膜的制备 | 第28-29页 |
·靶材与衬底的选择 | 第28页 |
·实验步骤 | 第28-29页 |
·薄膜制备工艺参数 | 第29页 |
·实验设备及作用 | 第29-30页 |
·MgZnO性能表征 | 第30-32页 |
·致密度测试 | 第30页 |
·扫描电镜观察 | 第30页 |
·XRD衍射图谱分析 | 第30-31页 |
·三点弯曲试验 | 第31页 |
·硬度测试 | 第31页 |
·电阻测试 | 第31页 |
·薄膜光学性能测试 | 第31-32页 |
·薄膜结合力测试 | 第32页 |
·实验材料 | 第32-33页 |
第3章 靶材制备工艺的影响 | 第33-49页 |
·球磨时间 | 第33-39页 |
·球磨时间对粉末粒径的影响 | 第33-34页 |
·球磨时间对粉末纯度的影响 | 第34-35页 |
·球磨时间对粉末形貌的影响 | 第35-37页 |
·球磨时间对靶材致密度的影响 | 第37页 |
·球磨时间对靶材微观形貌的影响 | 第37-39页 |
·脱胶制度 | 第39-40页 |
·烧结温度 | 第40-49页 |
·烧结温度对靶材收缩比的影响 | 第41页 |
·烧结温度对靶材致密度的影响 | 第41-43页 |
·烧结温度对靶材物相的影响 | 第43-44页 |
·烧结温度对靶材抗弯强度的影响 | 第44-45页 |
·烧结温度对靶材维氏硬度的影响 | 第45-46页 |
·烧结温度对靶材微观形貌的影响 | 第46-48页 |
·烧结温度对靶材导电性的影响 | 第48-49页 |
第4章 Mg含量对靶材的影响 | 第49-56页 |
·Mg含量对靶材致密度的影响 | 第49-50页 |
·Mg含量对靶材物相的影响 | 第50-52页 |
·不同Mg含量靶材的断面形貌 | 第52-53页 |
·Mg含量靶材力学性能的影响 | 第53-54页 |
·Mg含量对靶材导电性能的影响 | 第54-56页 |
第5章 薄膜性能测试 | 第56-61页 |
·MgZnO薄膜结构特性的表征 | 第56-57页 |
·MgZnO薄膜的光学性能测试 | 第57-58页 |
·MgZnO薄膜与衬底结合力 | 第58-60页 |
·MgZnO薄膜微观形貌 | 第60-61页 |
第6章 结论与展望 | 第61-63页 |
全文总结 | 第61-62页 |
工作展望 | 第62-63页 |
参考文献 | 第63-69页 |
致谢 | 第69-70页 |
攻读硕士学位期间的研究成果 | 第70-71页 |