| 致谢 | 第1-6页 |
| 摘要 | 第6-9页 |
| Abstract | 第9-13页 |
| 目录 | 第13-16页 |
| 第1章 引言 | 第16-26页 |
| ·红外辐射 | 第16-17页 |
| ·红外探测器 | 第17-19页 |
| ·InAs/GaSb II 类超晶格探测原理及优势 | 第19-21页 |
| ·超晶格红外探测器发展现状 | 第21-24页 |
| ·论文研究出发点及内容构成 | 第24-26页 |
| 第2章 分子束外延（MBE）及材料表征技术 | 第26-48页 |
| ·分子束外延技术 | 第26-30页 |
| ·分子束外延沉积过程及生长机制 | 第30-32页 |
| ·InAs/GaSb II 类超晶格材料结构及ＭＢＥ关键参数 | 第32-34页 |
| ·超晶格 MBE 生长常规工艺及表征技术 | 第34-38页 |
| ·GaSb 基 InAs/GaSb 超晶格材料中背景载流子浓度测试方法 | 第38-46页 |
| ·低温霍耳技术 | 第38-40页 |
| ·变磁场霍耳技术和迁移率谱拟合 | 第40-42页 |
| ·电学隔离层生长 | 第42-43页 |
| ·去衬底技术 | 第43-44页 |
| ·电容-电压测量（C-V 测量） | 第44-46页 |
| ·各种实验方法比较 | 第46页 |
| ·小结 | 第46-48页 |
| 第3章 GaSb 与 InAs 二元化合物 MBE 生长及特性研究 | 第48-70页 |
| ·GaSb 二元化合物外延及材料特性研究 | 第48-66页 |
| ·GaSb 衬底表面氧化层处理 | 第48-52页 |
| ·高温（5000C 以上）GaSb 缓冲层生长研究 | 第52-59页 |
| ·低温（4500C 以下）GaSb 外延层生长研究 | 第59-61页 |
| ·GaSb 外延层光致发光特性 | 第61-66页 |
| ·InAs（Sb）外延层生长研究 | 第66-68页 |
| ·小结 | 第68-70页 |
| 第4章 超晶格材料 MBE 生长及结构特性研究 | 第70-96页 |
| ·超晶格生长温度研究 | 第70-77页 |
| ·长波超晶格生长温度研究 | 第71-74页 |
| ·中波超晶格生长温度研究 | 第74-77页 |
| ·超晶格界面研究 | 第77-92页 |
| ·界面生长模式研究 | 第78-84页 |
| ·界面厚度研究 | 第84-87页 |
| ·界面结构设计 | 第87-92页 |
| ·超晶格中缺陷量的半定量计算 | 第92-94页 |
| ·小结 | 第94-96页 |
| 第5章 超晶格材料电学特性研究 | 第96-107页 |
| ·中波超晶格背景载流子浓度测试研究 | 第96-97页 |
| ·长波超晶格材料电学特性测量与分析 | 第97-105页 |
| ·变温测试结果与分析 | 第98-100页 |
| ·变磁场测试结果与分析 | 第100-105页 |
| ·长波超晶格器件本征层补偿掺杂 | 第105-106页 |
| ·小结 | 第106-107页 |
| 第6章 超晶格红外焦平面结构生长及器件应用结果 | 第107-127页 |
| ·高质量超晶格的Ｘ射线衍射曲线 | 第107-110页 |
| ·不同吸收区厚度的超晶格探测结构晶体质量 | 第110-112页 |
| ·超晶格红外探测结构材料均匀性 | 第112-117页 |
| ·超晶格单元器件暗电流结果 | 第117-120页 |
| ·超晶格暗电流拟合及变温测试分析 | 第120-124页 |
| ·超晶格焦平面应用结果 | 第124-126页 |
| ·小结 | 第126-127页 |
| 第7章 总结 | 第127-130页 |
| 参考文献 | 第130-143页 |
| 作者简介及在学期间发表的学术论文与研究成果 | 第143-144页 |
