| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-11页 |
| 第1章 绪论 | 第11-21页 |
| ·垂直腔面发射激光器(VCSEL)简介 | 第11-13页 |
| ·VCSEL 的发展历史和研究现状 | 第13-16页 |
| ·808-nm VCSEL 的研究背景及意义 | 第16-20页 |
| ·本论文的主要研究内容 | 第20-21页 |
| 第2章 808-nm VCSEL 的量子阱设计及输出特性模拟 | 第21-47页 |
| ·808-nm VCSEL 的量子阱设计 | 第21-34页 |
| ·势阱和势垒材料的选取 | 第21-25页 |
| ·应变量子阱带隙计算 | 第25-28页 |
| ·有效质量、带阶以及临界厚度计算 | 第28-31页 |
| ·量子阱子能级计算以及组分和阱宽的确定 | 第31-34页 |
| ·808-nm VCSEL 的输出特性模拟 | 第34-46页 |
| ·量子阱的材料增益 | 第34-38页 |
| ·阈值电流密度 | 第38-40页 |
| ·电光转换效率 | 第40-43页 |
| ·斜率效率和输出功率 | 第43-46页 |
| ·本章小结 | 第46-47页 |
| 第3章 808-nm VCSEL 反射镜及整体结构的设计和软件模拟 | 第47-69页 |
| ·VCSEL 反射镜设计 | 第47-60页 |
| ·DBR 材料及 AlxGa1-xAs 折射率 | 第48-51页 |
| ·传输矩阵方法和反射中心波长确定 | 第51-55页 |
| ·DBR 的吸收损耗、反射谱和高反射带宽 | 第55-58页 |
| ·DBR 的反射率和穿透深度 | 第58-60页 |
| ·VCSEL 整体结构设计和软件模拟 | 第60-68页 |
| ·VCSEL 光腔设计 | 第60-62页 |
| ·氧化限制层设计 | 第62-64页 |
| ·顶发射 VCSEL 整体结构 | 第64-66页 |
| ·PICS3D 软件模拟 | 第66-68页 |
| ·本章小结 | 第68-69页 |
| 第4章 808-nm VCSEL 的外延生长、制作及测试分析 | 第69-83页 |
| ·808-nm VCSEL 的外延生长及测试分析 | 第69-76页 |
| ·MOCVD 外延技术介绍 | 第69-71页 |
| ·量子阱的生长和测试 | 第71-72页 |
| ·分布布拉格反射镜的生长和测试 | 第72-74页 |
| ·垂直腔面发射激光器整体结构的生长和测试 | 第74-76页 |
| ·808-nm VCSEL 的制作及测试分析 | 第76-82页 |
| ·顶发射 VCSEL 的制作工艺及关键技术介绍 | 第76-79页 |
| ·808-nm 顶发射 VCSEL 的性能 | 第79-82页 |
| ·本章小结 | 第82-83页 |
| 第5章 总结 | 第83-85页 |
| 参考文献 | 第85-90页 |
| 在学期间学术成果情况 | 第90-91页 |
| 指导教师及作者简介 | 第91-92页 |
| 致谢 | 第92页 |
