| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-34页 |
| 第一节 超导电子学简介 | 第12-21页 |
| ·超导材料介绍 | 第12-15页 |
| ·超导电子学的发展 | 第15-21页 |
| 第二节 本征约瑟夫森结阵列毫米波亚毫米波固态源 | 第21-27页 |
| 第三节 本论文的研究内容及意义 | 第27-29页 |
| 本章参考文献 | 第29-34页 |
| 第二章 约瑟夫森结的相关理论 | 第34-60页 |
| 第一节 约瑟夫森方程组 | 第34-42页 |
| ·约瑟夫森方程组 | 第34-35页 |
| ·约瑟夫森方程组的推导 | 第35-42页 |
| 第二节 约瑟夫森效应 | 第42-47页 |
| ·约瑟夫森直流效应 | 第42-43页 |
| ·约瑟夫森交流效应 | 第43-47页 |
| 第三节 约瑟夫森结的电路模型 | 第47-52页 |
| 第四节 约瑟夫森结的分类 | 第52-58页 |
| ·隧道约瑟夫森结和弱连接结约瑟夫森结 | 第53-54页 |
| ·低温约瑟夫森结和高温约瑟夫森结 | 第54页 |
| ·非本征约瑟夫森结和本征约瑟夫森结 | 第54-58页 |
| 本章参考文献 | 第58-60页 |
| 第三章 T1-2212本征约瑟夫森结阵列的毫米波辐射研究 | 第60-84页 |
| 第一节 T1-2212本征约瑟夫森结的制备 | 第60-67页 |
| ·T1-2212超导薄膜的制备方法 | 第60-62页 |
| ·T1-2212本征约瑟夫森结阵列的制备 | 第62-67页 |
| 第二节 毫米波测试系统 | 第67-75页 |
| ·法布里-帕罗特谐振腔介绍 | 第67-69页 |
| ·超外差混频检测工作原理 | 第69-70页 |
| ·矩形介质谐振器 | 第70-71页 |
| ·测试器件介绍 | 第71-73页 |
| ·毫米波辐照响应测试步骤 | 第73-74页 |
| ·毫米波辐射测试步骤 | 第74-75页 |
| 第三节 T1-2212本征约瑟夫森结阵列的毫米波辐射 | 第75-82页 |
| 本章参考文献 | 第82-84页 |
| 第四章 T1-2212本征约瑟夫森结阵列的电流电压特性研究 | 第84-104页 |
| 第一节 T1-2212本征约瑟夫森结阵列的能隙压制和剩余电流现象 | 第84-90页 |
| 第二节 T1-2212本征约瑟夫森结的微波诱导台阶现象 | 第90-94页 |
| 第三节 电压源偏置的T1-2212本征约瑟夫森结阵列 | 第94-99页 |
| 第四节 平台结构的T1-2212本征约瑟夫森结阵列 | 第99-101页 |
| 本章参考文献 | 第101-104页 |
| 第五章 Bi-2212本征约瑟夫森结阵列的太赫兹辐射研究 | 第104-134页 |
| 第一节 Bi-2212本征约瑟夫森结的制备 | 第104-107页 |
| 第二节 太赫兹测试系统 | 第107-110页 |
| ·太赫兹辐射测试过程 | 第107-109页 |
| ·测试系统主要器件介绍 | 第109-110页 |
| 第三节 太赫兹频率f>1 THz的可调谐辐射研究 | 第110-115页 |
| 第四节 太赫兹辐射功率与本征约瑟夫森结数目之间的关系 | 第115-119页 |
| 第五节 环境温度T>77 K的可调谐辐射研究 | 第119-126页 |
| ·最高辐射温度在78 K的太赫兹辐射 | 第120-123页 |
| ·最高辐射温度在82 K的太赫兹辐射 | 第123-126页 |
| 第六节 高功率太赫兹辐射探究 | 第126-132页 |
| ·并联的串联平台结构 | 第126-129页 |
| ·金膜-Bi-2212-金膜结构 | 第129-132页 |
| 本章参考文献 | 第132-134页 |
| 第六章 总结与展望 | 第134-136页 |
| 致谢 | 第136-137页 |
| 个人简历 | 第137页 |
| 在学期间发表的学术论文 | 第137-138页 |
