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B→PV(ΔS=1)衰变与带电Higgs新物理修正

摘要第1-5页
Abstract第5-9页
第一章 引言第9-11页
第二章 低能有效理论和pqcd因子化第11-25页
   ·标准模型简介第11-14页
     ·标准模型中的基本粒子第11页
     ·对称性的破缺和CKM矩阵第11-14页
   ·低能有效理论第14-17页
   ·强子矩阵元的计算方法第17-22页
     ·推广的因子化方案(GFA)第17-18页
     ·QCD因子化方案(QCDF)第18-19页
     ·微扰QCD因子化方案(PQCD)第19-22页
   ·B→PV衰变的可观测量第22-25页
     ·衰变分支比第22-23页
     ·CP破坏第23-25页
第三章 双希格斯模型第25-32页
   ·双Higgs模型简介第25-28页
   ·B介子两体非轻衰变的2HDM Ⅲ修正第28-32页
第四章 B→PV衰变研究和2HDM修正第32-46页
   ·B→PV的衰变振幅第32-35页
   ·输入参数第35-36页
     ·介子波函数第35-36页
     ·其他输入参数和误差分析第36页
   ·数值结果与分析第36-46页
     ·CP平均分支比第37-40页
     ·直接CP破坏第40-43页
     ·混合CP破坏第43-46页
第五章 总结与展望第46-49页
附录A Sudakov因子和介子波函数第49-52页
 A.1 Sudakov因子第49页
 A.2 介子波函数第49-52页
附录B B→PV衰变振幅的微扰计算第52-61页
参考文献第61-65页
致谢第65页

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