| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 1 绪论 | 第10-20页 |
| ·表面润湿性能 | 第10页 |
| ·超疏水表面的理论基础 | 第10-14页 |
| ·Young方程 | 第10-11页 |
| ·Wenzel模型 | 第11-12页 |
| ·Cassie模型 | 第12页 |
| ·Wenzel和Cassie-Baxter接触状态的转化 | 第12-13页 |
| ·滞后角和滚动角 | 第13-14页 |
| ·超疏水表面 | 第14-15页 |
| ·超疏水表面的制备方法 | 第15-19页 |
| ·胶体自组装技术 | 第15页 |
| ·等离子体处理技术 | 第15-16页 |
| ·刻蚀技术 | 第16页 |
| ·溶胶-凝胶法 | 第16-17页 |
| ·相分离法 | 第17页 |
| ·气相沉积法 | 第17-18页 |
| ·静电纺丝法 | 第18页 |
| ·层层自组装法 | 第18页 |
| ·其他方法 | 第18-19页 |
| ·本文的研究目的及内容 | 第19-20页 |
| 2 薄膜的制备方法及性能分析 | 第20-26页 |
| ·EBD法沉积薄膜的原理 | 第20-21页 |
| ·磁控溅射法沉积薄膜原理 | 第21页 |
| ·本实验所用镀膜装置 | 第21-22页 |
| ·气相法沉积薄膜的工艺流程 | 第22-24页 |
| ·薄膜的表征 | 第24-26页 |
| ·接触角测量仪 | 第24页 |
| ·原子力显微镜(AFM) | 第24页 |
| ·扫描电子显微镜(SEM) | 第24页 |
| ·傅里叶变换衰减全反射红外光谱仪(ATR-FTIR) | 第24-25页 |
| ·紫外-可见分光光度计(UV-Vis) | 第25-26页 |
| 3 低功率电子束蒸发法制备PTFE薄膜 | 第26-42页 |
| ·引言 | 第26-27页 |
| ·实验仪器及材料 | 第27页 |
| ·PTFE薄膜的制备及表征 | 第27-40页 |
| ·薄膜的FTIR表征 | 第28-29页 |
| ·刻蚀时间对薄膜的形貌和疏水性能的影响 | 第29-31页 |
| ·硫酸浓度对薄膜形貌及疏水性能的影响 | 第31-34页 |
| ·沉积时间对薄膜形貌及疏水性能的影响 | 第34-36页 |
| ·不同基底对薄膜形貌及疏水性能的影响 | 第36-39页 |
| ·PTFE薄膜的光学性质 | 第39-40页 |
| ·本章小节 | 第40-42页 |
| 4 铜片及Cu薄膜表面PTFE薄膜的制备及超疏水性 | 第42-58页 |
| ·引言 | 第42页 |
| ·本章所用仪器及材料 | 第42页 |
| ·铜片表面PTFE薄膜的制备及表征 | 第42-48页 |
| ·草酸溶液浓度对薄膜的形貌及疏水性影响 | 第43-44页 |
| ·刻蚀时间对薄膜的形貌及疏水性影响 | 第44-46页 |
| ·沉积时间对薄膜形貌及疏水性的影响 | 第46-48页 |
| ·Cu膜/PTFE复合膜的制备及表征 | 第48-57页 |
| ·Cu膜的制备 | 第48-49页 |
| ·溅射功率对薄膜形貌及性能的影响 | 第49-51页 |
| ·不同处理方法对薄膜形貌及疏水性的影响 | 第51-53页 |
| ·电子束沉积时间对薄膜的表面形貌及疏水性的影响 | 第53-57页 |
| ·本章小节 | 第57-58页 |
| 5 Cu片上PE/PTFE复合薄膜的制备及性质分析 | 第58-65页 |
| ·引言 | 第58页 |
| ·本章所用仪器及材料 | 第58页 |
| ·Cu片表面PE/PTFE复合薄膜的制备及表征 | 第58-64页 |
| ·Cu片基底上PE/PTFE复合薄膜的制备 | 第58-59页 |
| ·PE薄膜的FTIR表征 | 第59页 |
| ·PE/PTFE复合膜的FESEM分析 | 第59-60页 |
| ·紫外照射对复合膜表面接触角的影响 | 第60页 |
| ·基底处理条件对薄膜表面形貌及接触角的影响 | 第60页 |
| ·PE层对针尖粘附力的影响 | 第60-63页 |
| ·PE过渡层存在时粘附力对接触角的影响 | 第63-64页 |
| ·本章小节 | 第64-65页 |
| 全文结论 | 第65-67页 |
| 致谢 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-74页 |
| 附录 | 第74页 |
