InGaN太阳能电池研究与制作
| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-13页 |
| ·引言 | 第7-8页 |
| ·太阳能 | 第8页 |
| ·太阳能电池 | 第8-10页 |
| ·传统太阳能电池 | 第8-9页 |
| ·新型 InGaN 太阳能电池 | 第9-10页 |
| ·本文研究内容 | 第10-13页 |
| 第二章 InGaN 太阳能电池理论基础 | 第13-31页 |
| ·太阳能电池理论 | 第13-19页 |
| ·太阳辐射谱 | 第13-14页 |
| ·太阳能电池基本原理 | 第14-16页 |
| ·太阳能电池特性与参数 | 第16-19页 |
| ·InGaN 太阳能电池 | 第19-29页 |
| ·InGaN 材料特性 | 第19-20页 |
| ·InGaN 材料的生长技术 | 第20-21页 |
| ·III-N 材料外延技术 | 第21-24页 |
| ·InGaN 太阳能电池的外延结构 | 第24-26页 |
| ·InGaN 及其他 III-N 常用测试方法 | 第26-29页 |
| ·本章小结 | 第29-31页 |
| 第三章 InGaN 太阳能电池的软件模拟 | 第31-45页 |
| ·wxAMPS 软件 | 第31页 |
| ·基本参数模型 | 第31-35页 |
| ·光学模型 | 第31-33页 |
| ·材料物理模型 | 第33-35页 |
| ·不同结构 InGaN 太阳能电池的模拟 | 第35-43页 |
| ·PN 结太阳能电池模拟 | 第35-38页 |
| ·PIN 异质结太阳能电池模拟 | 第38-39页 |
| ·中间带宽插入层对 InGaN 太阳能电池的影响 | 第39-43页 |
| ·本章总结 | 第43-45页 |
| 第四章 InGaN 太阳能电池的制作 | 第45-65页 |
| ·器件外延生长研究 | 第45-57页 |
| ·InGaN 吸收层的外延生长 | 第45-46页 |
| ·不同生长压力下长的 MQW 比较 | 第46-50页 |
| ·不同生长温度下生长的 MQW 比较 | 第50-52页 |
| ·不同数量量子阱的比较 | 第52-53页 |
| ·不同生长速度对 P 型 GaN 性能影响 | 第53-55页 |
| ·PIN 太阳能电池全结构的外延生长 | 第55-57页 |
| ·器件制作 | 第57-63页 |
| ·制作流程 | 第57-58页 |
| ·测试分析 | 第58-60页 |
| ·电极形状对 InGaN 太阳能电池的影响 | 第60-63页 |
| ·本章总结 | 第63-65页 |
| 第五章 总结与展望 | 第65-67页 |
| 致谢 | 第67-69页 |
| 参考文献 | 第69-74页 |
