| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-23页 |
| ·研究背景 | 第13-15页 |
| ·碳化硅(SiC) MOSFET 应用技术研究现状 | 第15-16页 |
| ·碳化硅(SiC)MOSFET 建模 | 第15页 |
| ·SiC MOSFET 的驱动电路 | 第15-16页 |
| ·双有源桥(DAB)研究及应用 | 第16-21页 |
| ·本文研究主要内容 | 第21-23页 |
| 第二章 碳化硅(SiC)MOSFET 变温度参数建模 | 第23-37页 |
| ·基本建模方法介绍 | 第23-25页 |
| ·SiC MOSFET 静态特性建模 | 第25-33页 |
| ·基本 MOSFET 单元 M1 建模 | 第25-28页 |
| ·体二极管 DBODY建模 | 第28-29页 |
| ·导通电阻及内部门极电阻建模 | 第29-30页 |
| ·温控电压源电流源建模 | 第30-31页 |
| ·SiC MOSFET 静态特性验证 | 第31-33页 |
| ·SiC MOSFET 动态特性建模 | 第33-36页 |
| ·寄生电容 CGS建模 | 第33-34页 |
| ·非线性电容 CGD建模 | 第34-36页 |
| ·本章小结 | 第36-37页 |
| 第三章 碳化硅 MOSFET 模型验证 | 第37-49页 |
| ·碳化硅 MOSFET 驱动电路设计 | 第37-41页 |
| ·MOSFET 驱动电路的基本要求 | 第37-38页 |
| ·构成桥臂时的驱动要求 | 第38-40页 |
| ·碳化硅 MOSFET 驱动电路设计 | 第40-41页 |
| ·仿真模型验证及实验对比 | 第41-46页 |
| ·实验及仿真电路参数规格 | 第41-43页 |
| ·实验及仿真结果对比 | 第43-46页 |
| ·开关特性对比 | 第46-48页 |
| ·本章小结 | 第48-49页 |
| 第四章 采用 SiC MOSFET 的双有源桥变换器 | 第49-65页 |
| ·双有源桥变换器工作原理及分析 | 第49-60页 |
| ·改进控制策略及模态分析 | 第49-53页 |
| ·变换器特性改善 | 第53-57页 |
| ·损耗分析 | 第57-60页 |
| ·采用 SiC 和 Si MOSFET 的变换性能比较 | 第60-62页 |
| ·寄生电容及软开关范围 | 第60页 |
| ·导通损耗及高温特性 | 第60-61页 |
| ·体二极管特性 | 第61页 |
| ·变换效率 | 第61-62页 |
| ·实验结果及分析 | 第62-64页 |
| ·本章小结 | 第64-65页 |
| 第五章 总结与展望 | 第65-66页 |
| ·全文工作总结 | 第65页 |
| ·后续工作展望 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-70页 |
| 致谢 | 第70-71页 |
| 在学期间研究成果及发表的学术论文 | 第71页 |
