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半导体中缺陷中心的理论计算与原子探针分析

摘要第1-7页
Abstract第7-8页
目录第8-10页
第一章 绪论第10-13页
   ·前言第10-11页
   ·量子位元研究第11-12页
   ·碳-锑杂质成键研究第12-13页
第二章 第一性原理介绍第13-20页
   ·哈特里-福克(Hartree-Fock)方程第13-15页
   ·密度泛函原理(Density function theory)第15-18页
     ·霍恩贝格-柯恩(Hohenberg-Kohn)原理第15-17页
     ·柯恩-沈(Kohn-Sham)原理第17页
     ·局域密度近似(Local Density Approximation)第17-18页
     ·广义梯度近似(General Gradient Approximation)第18页
   ·第一性原理程序包简介第18-20页
     ·Materials Studio第18-19页
     ·VASP第19-20页
第三章 金刚石中的铝空位-氧替位色心量子位元应用第20-50页
   ·量子计算与量子位元第20-29页
     ·量子计算第20-21页
     ·量子位元第21-23页
     ·实现量子计算的条件第23-29页
   ·金刚石中的NV~1色心第29-34页
   ·固体中的缺陷作为量子位元的标准第34-37页
   ·氮化铝中的V_(Al)O_N色心用作量子位元第37-50页
     ·原子结构第39页
     ·态密度与能级结构第39-42页
     ·形成能与稳定性第42-45页
     ·位形坐标图与跃迁能量第45-47页
     ·退相干时间第47-50页
第四章 杂质成键对于锑掺杂锗中载流子浓度的影响第50-63页
   ·锑冲激掺杂锗第50-51页
   ·原子探针简介第51-53页
   ·样品的针尖化处理第53-57页
   ·锗中冲激掺杂锑的三维原子探针分析第57-60页
     ·整体元素分布构图和偏析效应第57-58页
     ·以Sb为中心的杂质元素径向分布分析第58-60页
   ·对Sb-C和Sb-Sb成键的第一性原理初步分析第60-63页
第五章 总结与展望第63-65页
   ·总结第63页
   ·展望第63-65页
参考文献第65-71页
攻读学位期间发表论文第71-72页
致谢第72页

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