| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 第1章 绪论 | 第9-23页 |
| ·铁电体 | 第9页 |
| ·铁电薄膜 | 第9-12页 |
| ·铁电存储器的简介 | 第12-17页 |
| ·铁电存储器的发展历程 | 第12-14页 |
| ·铁电存储器的主要分类 | 第14-17页 |
| ·铁电隧道结的研究进展 | 第17-21页 |
| ·铁电隧道结的发展历程 | 第17页 |
| ·铁电隧道结的研究现状 | 第17-21页 |
| ·本论文的选题依据和主要内容 | 第21-23页 |
| 第2章 铁电隧道结的制备及性能表征手段 | 第23-29页 |
| ·铁电隧道结的制备 | 第23-27页 |
| ·脉冲激光沉积法 | 第23-26页 |
| ·铁电隧道结的制备过程 | 第26-27页 |
| ·铁电隧道结的分析测试方法 | 第27-29页 |
| ·压电力显微镜(PFM) | 第27-28页 |
| ·导电原子力显微镜(C-AFM) | 第28页 |
| ·薄膜厚度测量仪 | 第28-29页 |
| 第3章 基于压电效应的铁电隧道结电致电阻性能研究 | 第29-37页 |
| ·引言 | 第29页 |
| ·BNT 薄膜的微观结构 | 第29-30页 |
| ·BNT 薄膜的电畴结构 | 第30-34页 |
| ·BNT 薄膜的压电性能 | 第34-35页 |
| ·基于压电效应的铁电隧道结的电致电阻性能 | 第35-36页 |
| ·本章小结 | 第36-37页 |
| 第4章 与 Si 集成的铁电隧道结电子输运性能研究 | 第37-49页 |
| ·引言 | 第37页 |
| ·与 Si 集成的 BNT 薄膜的微观结构 | 第37-38页 |
| ·与 Si 集成的 BNT 薄膜的尺寸效应 | 第38-42页 |
| ·与 Si 集成的 BNT 薄膜的电畴结构 | 第42-45页 |
| ·与 Si 集成的 BNT 基铁电隧道结的电子输运性能 | 第45-47页 |
| ·本章小结 | 第47-49页 |
| 第5章 总结与展望 | 第49-51页 |
| ·论文总结 | 第49-50页 |
| ·研究展望 | 第50-51页 |
| 参考文献 | 第51-58页 |
| 致谢 | 第58-59页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第59页 |