| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-26页 |
| ·前言 | 第10-11页 |
| ·半导体光催化简介 | 第11-17页 |
| ·研究背景 | 第11-12页 |
| ·光催化剂和光催化氧化技术概述 | 第12-13页 |
| ·半导体光催化的基本原理 | 第13-15页 |
| ·光催化的应用 | 第15-17页 |
| ·现有光催化剂存在的问题 | 第17页 |
| ·半导体光催化剂的改性技术 | 第17-20页 |
| ·金属离子掺杂 | 第18页 |
| ·非金属离子掺杂 | 第18页 |
| ·贵金属沉积 | 第18-19页 |
| ·复合半导体 | 第19-20页 |
| ·染料光敏化 | 第20页 |
| ·异质结光催化剂概况 | 第20-24页 |
| ·p-n 异质结界面的内建电场 | 第22页 |
| ·p-n 异质结界面的电荷迁移规律 | 第22-24页 |
| ·异质结构的制备方法 | 第24页 |
| ·本文研究的目的、意义及主要内容 | 第24-26页 |
| ·本文研究的目的和意义 | 第24页 |
| ·本文研究的主要内容 | 第24-26页 |
| 第二章 异质结光催化剂 CuBi_2O_4/ ZnO 的制备及其光催化性能研究 | 第26-40页 |
| ·前言 | 第26-27页 |
| ·实验部分 | 第27-30页 |
| ·实验设计 | 第27页 |
| ·实验原料和仪器 | 第27-28页 |
| ·ZnO 粉末的制备 | 第28-29页 |
| ·CuBi_2O_4粉末的制备 | 第29页 |
| ·p-n 异质结光催化剂 p-CuBi_2O_4/n-ZnO 的制备 | 第29页 |
| ·表征 | 第29-30页 |
| ·光催化活性的测定 | 第30页 |
| ·结果与讨论 | 第30-37页 |
| ·产物的 XRD 表征 | 第30-32页 |
| ·扫描电子显微镜 | 第32-34页 |
| ·紫外-可见光漫反射光谱分析 | 第34-35页 |
| ·光催化活性的评价 | 第35-37页 |
| ·反应机理的探讨 | 第37-39页 |
| ·结论 | 第39-40页 |
| 第三章 异质结催化剂 CuBi_2O_4/NaTaO_3的制备和光催化性能研究 | 第40-55页 |
| ·前言 | 第40-41页 |
| ·实验部分 | 第41-45页 |
| ·实验设计 | 第41页 |
| ·实验原料和仪器 | 第41-42页 |
| ·NaTaO_3粉末的制备 | 第42-43页 |
| ·CuBi_2O_4粉末的制备 | 第43页 |
| ·p-n 异质结光催化剂 p-CuBi_2O_4/n-NaTaO_3的制备 | 第43页 |
| ·表征 | 第43-44页 |
| ·光催化活性的测定 | 第44-45页 |
| ·结果与讨论 | 第45-52页 |
| ·产物的 XRD 表征 | 第45-47页 |
| ·扫描电子显微镜 | 第47-48页 |
| ·紫外-可见光漫反射光谱分析 | 第48-50页 |
| ·CuBi_2O_4的负载量对光催化活性的影响 | 第50-51页 |
| ·煅烧温度对光催化活性的影响 | 第51-52页 |
| ·反应机理的探讨 | 第52-54页 |
| ·结论 | 第54-55页 |
| 第四章 异质结光催化剂 CuBi_2O_4/BaTiO_3的制备与光催化性能研究 | 第55-70页 |
| ·前言 | 第55-56页 |
| ·实验部分 | 第56-59页 |
| ·实验设计 | 第56页 |
| ·实验原料和仪器 | 第56-57页 |
| ·BaTiO_3粉末的制备 | 第57页 |
| ·CuBi_2O_4粉末的制备 | 第57-58页 |
| ·p-n 异质结光催化剂 p-CuBi_2O_4/n-BaTiO_3的制备 | 第58页 |
| ·表征 | 第58页 |
| ·光催化活性的测定 | 第58-59页 |
| ·结果与讨论 | 第59-67页 |
| ·产物的 XRD 表征 | 第59-62页 |
| ·扫描电子显微镜 | 第62-64页 |
| ·紫外-可见光漫反射光谱分析 | 第64-65页 |
| ·CuBi_2O_4的负载量对光催化活性的影响 | 第65-66页 |
| ·煅烧温度对光催化活性的影响 | 第66-67页 |
| ·反应机理的探讨 | 第67-69页 |
| ·结论 | 第69-70页 |
| 第五章 全文总结 | 第70-71页 |
| 参考文献 | 第71-80页 |
| 致谢 | 第80-81页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文目录 | 第81页 |
