| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-18页 |
| ·表面增强拉曼散射简介 | 第9-10页 |
| ·表面增强拉曼散射增强机理 | 第10-12页 |
| ·物理增强机理 | 第10-11页 |
| ·化学增强机理 | 第11-12页 |
| ·表面增强拉曼散射基底的制备 | 第12-15页 |
| ·立题依据及研究内容 | 第15-18页 |
| 第二章 纳米二氧化硅的制备 | 第18-25页 |
| ·实验仪器和试剂 | 第18页 |
| ·实验方法 | 第18-20页 |
| ·St ber 法 | 第18-19页 |
| ·种子生长法 | 第19-20页 |
| ·结果与讨论 | 第20-23页 |
| ·St ber 法制备不同粒径二氧化硅 | 第20-22页 |
| ·种子生长法制备不同粒径二氧化硅 | 第22-23页 |
| ·本章小结 | 第23-25页 |
| 第三章 多孔有序阵列的构筑及其 Raman 增强性能 | 第25-32页 |
| ·实验仪器和试剂 | 第25页 |
| ·实验方法 | 第25-26页 |
| ·结果与讨论 | 第26-31页 |
| ·有序多孔阵列的结构特征 | 第26-29页 |
| ·有序多孔阵列的 Raman 增强性能 | 第29-31页 |
| ·本章小结 | 第31-32页 |
| 第四章 球凸和球凹有序阵列的构筑及其 Raman 增强性能 | 第32-44页 |
| ·实验仪器和试剂 | 第32页 |
| ·实验方法 | 第32-35页 |
| ·结果与讨论 | 第35-43页 |
| ·四种球凸阵列基底的结构特征 | 第35-36页 |
| ·四种球凸阵列基底的 SERS 性能 | 第36-38页 |
| ·球凸阵列基底结构对 SERS 性能的影响 | 第38-39页 |
| ·球凹阵列基底的结构特征 | 第39-41页 |
| ·球凹阵列基底的 SERS 性能 | 第41-43页 |
| ·本章小结 | 第43-44页 |
| 第五章 全文结论及展望 | 第44-46页 |
| ·全文结论 | 第44页 |
| ·展望 | 第44-46页 |
| 致谢 | 第46-47页 |
| 参考文献 | 第47-54页 |
| 附录：作者在攻读硕士学位期间发表的论文 | 第54页 |