| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 1 概论 | 第8-11页 |
| ·引言 | 第8页 |
| ·光开光的种类 | 第8-9页 |
| ·半导体量子阱全光开关 | 第9-10页 |
| ·本论文的工作及意义 | 第10-11页 |
| 2 InGaAsP/InP 共振光子晶体结构的理论研究和设计 | 第11-22页 |
| ·激子特性和光学斯塔克效应 | 第11-12页 |
| ·BSQWs 全光开关的工作原理 | 第12-15页 |
| ·超快全光开关的禁带分析 | 第15-18页 |
| ·晶格匹配下的InGaAsP/InP 量子阱设计 | 第18-21页 |
| ·本章小结 | 第21-22页 |
| 3 MOCVD 工艺简介 | 第22-32页 |
| ·MOCVD 生长技术简介 | 第22-25页 |
| ·MOCVD 生长设备简介 | 第25-29页 |
| ·MOCVD 外延生长模式 | 第29-31页 |
| ·本章小结 | 第31-32页 |
| 4 材料测试分析技术 | 第32-39页 |
| ·光致发光测试技术 | 第32-34页 |
| ·X 射线衍射技术(XRD) | 第34-37页 |
| ·其它测试手段 | 第37-38页 |
| ·本章小结 | 第38-39页 |
| 5 InGaAsP/InP 量子阱的生长 | 第39-53页 |
| ·MOCVD 生长制备过程 | 第39-41页 |
| ·InGaAsP 体材料分析 | 第41-43页 |
| ·量子阱材料分析 | 第43-49页 |
| ·本章小结 | 第49-53页 |
| 6 InAsP/InP 的生长 | 第53-58页 |
| ·InAsP 的生长参数 | 第53页 |
| ·InAsP/InP 的生长工艺 | 第53-57页 |
| ·本章小结 | 第57-58页 |
| 7 结论 | 第58-59页 |
| 致谢 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-64页 |
| 附录1 攻读学位期间发表论文目录 | 第64页 |