| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-11页 |
| 目录 | 第11-15页 |
| 第一章 绪论 | 第15-20页 |
| ·研究背景及意义 | 第15-16页 |
| ·前人研究现状和本文的研究内容 | 第16-18页 |
| ·BaTiO_3:Ti~(3+)-VO自旋哈密顿参量的研究 | 第16-17页 |
| ·八面体中 3d2离子自旋哈密顿参量的理论研究 | 第17页 |
| ·四面体中 3d2离子自旋哈密顿参量的理论研究 | 第17-18页 |
| ·Bi_4GeO_(12):V~(4+),Cr~(4+)自旋哈密顿参量的理论研究 | 第18页 |
| ·Si 量子点的性质和其光纤气敏传感器的研究 | 第18页 |
| ·本文的基本结构 | 第18-20页 |
| 第二章 晶体场和电子顺磁共振基本理论 | 第20-46页 |
| ·晶体场理论 | 第20-41页 |
| ·基本假设 | 第22页 |
| ·晶体场中体系的哈密顿量 | 第22-23页 |
| ·晶场势能 | 第23-30页 |
| ·晶场势能的定义 | 第23-25页 |
| ·点电荷晶场势能的计算 | 第25-28页 |
| ·晶场能级的分裂 | 第28-30页 |
| ·晶场耦合方案 | 第30-32页 |
| ·弱场耦合方案 | 第30-31页 |
| ·中间场耦合方案 | 第31页 |
| ·强场耦合方案 | 第31-32页 |
| ·三种耦合方案优缺点的比较 | 第32页 |
| ·晶体场模型 | 第32-34页 |
| ·点电荷模型 | 第33页 |
| ·点电荷-偶极模型 | 第33页 |
| ·重叠模型 | 第33-34页 |
| ·能量矩阵的建立 | 第34-37页 |
| ·静电矩阵 | 第34-35页 |
| ·晶场矩阵 | 第35页 |
| ·旋轨耦合矩阵 | 第35-36页 |
| ·自旋-自旋耦合矩阵 | 第36-37页 |
| ·自旋-其它-轨道相互作用矩阵 | 第37页 |
| ·晶体中 dN离子的共价性 | 第37-41页 |
| ·静电参量缩小 | 第38页 |
| ·轨道缩小因子 | 第38页 |
| ·d 轨道理论和平均共价性模型 | 第38-39页 |
| ·半经验分子轨道方法 | 第39页 |
| ·分子轨道系数N i与 ij的计算 | 第39-41页 |
| ·Kramers 简并与 Jahn-Teller 效应 | 第41页 |
| ·Kramers 简并 | 第41页 |
| ·Jahn-Teller 效应 | 第41页 |
| ·电子顺磁共振理论 | 第41-46页 |
| ·电子顺磁共振的基本原理 | 第41-42页 |
| ·电子顺磁共振谱的线宽和线型 | 第42-43页 |
| ·EPR 谱线的线宽 | 第42页 |
| ·EPR 谱线的线型 | 第42-43页 |
| ·自旋哈密顿参量的介绍 | 第43-45页 |
| ·g 因子 | 第43-44页 |
| ·精细结构和零场分裂 | 第44页 |
| ·超精细结构 | 第44-45页 |
| ·自旋哈密顿理论 | 第45-46页 |
| 第三章 d~1离子的自旋哈密顿参量的理论研究 | 第46-62页 |
| ·3d~1组态的晶场能级 | 第46-49页 |
| ·四角伸长八面体中 d1离子自旋哈密顿参量微扰公式的建立 | 第49-62页 |
| ·传统晶体场模型公式 | 第49页 |
| ·离子簇模型处理 | 第49-50页 |
| ·改进的离子簇模型计算 | 第50-52页 |
| ·四角八面体中 d1离子自旋哈密顿参量的微扰公式 | 第52页 |
| ·四角四面体中 d1离子自旋哈密顿参量的微扰公式 | 第52-53页 |
| ·斜方八面体中 d1离子自旋哈密顿参量的微扰公式 | 第53-55页 |
| ·应用 | 第55-59页 |
| ·块材 BaTiO_3中 Ti~(3+)-VO中心的自旋哈密顿参量的计算 | 第55-57页 |
| ·薄膜 BaTiO_3中 Ti~(3+)-VO中心的自旋哈密顿参量的计算 | 第57-58页 |
| ·MO_2(M = Sn, Ti 和 Ge) 中 Nb~(4+)中心的自旋哈密顿参量的计算 | 第58-59页 |
| ·讨论 | 第59-62页 |
| 第四章 八面体中 3d~2离子自旋哈密顿参量的理论研究 | 第62-77页 |
| ·三角八面体中 3d~2离子自旋哈密顿参量的理论研究 | 第62-70页 |
| ·三角八面体中 3d~2离子的晶场势和能级分裂 | 第62-63页 |
| ·三角八面体中 3d~2离子自旋哈密顿参量的微扰公式 | 第63-66页 |
| ·应用 | 第66-70页 |
| ·α-Al2O_3中 V~(3+)和 Cr~(4+)中心自旋哈密顿参量理论研究 | 第66-68页 |
| ·讨论 | 第68-70页 |
| ·四角八面体中 3d~2离子自旋哈密顿参量的理论研究 | 第70-77页 |
| ·四角八面体中 3d~2离子的晶场能级分裂 | 第70-71页 |
| ·四角八面体中 3d~2离子自旋哈密顿参量的微扰公式 | 第71-74页 |
| ·讨论 | 第74-77页 |
| 第五章 四面体中 3d~2离子自旋哈密顿参量的理论研究 | 第77-87页 |
| ·正四面体中 3d~2离子的能级分裂 | 第77页 |
| ·三角四面体中 3d~2离子的能级分裂 | 第77-78页 |
| ·正四面体场中 3d~2离子的自旋哈密顿参量公式建立 | 第78-81页 |
| ·硅中 Cr~(4+)和 Mn~(5+)自旋哈密顿参量的理论研究 | 第79-81页 |
| ·讨论 | 第81页 |
| ·ZnO 中 V~(3+)的自旋哈密顿参量公式的建立 | 第81-85页 |
| ·ZnO 中 V~(3+)自旋哈密顿参量的理论研究 | 第83页 |
| ·讨论 | 第83-85页 |
| 附表 | 第85-87页 |
| 第六章 Bi_4Ge_3O_(12)：V~(4+)和 Cr~(4+)的自旋哈密顿参量的理论研究 | 第87-92页 |
| ·四角四面体中 3d1和 3d~2离子的能级分裂 | 第87-89页 |
| ·四角四面体中 3d1和 3d~2离子自旋哈密顿参量的理论研究 | 第89-90页 |
| ·讨论 | 第90-92页 |
| 第七章 利用硅量子点制备光纤气敏传感器的研究 | 第92-101页 |
| ·量子点和量子点光纤气敏传感器简介 | 第92-93页 |
| ·材料和方法 | 第93-94页 |
| ·结果 | 第94-95页 |
| ·讨论 | 第95-96页 |
| ·结论 | 第96-97页 |
| 附图 | 第97-101页 |
| 第八章 总结与展望 | 第101-104页 |
| ·本文的主要工作 | 第101-102页 |
| ·特色和创新点 | 第102-103页 |
| ·关于下一步工作的展望 | 第103-104页 |
| 致谢 | 第104-105页 |
| 参考文献 | 第105-117页 |
| 攻博期间取得的研究成果 | 第117-119页 |
