| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-19页 |
| ·液晶空间光调制器 | 第10-12页 |
| ·液晶空间光调制器的光敏层 | 第12-17页 |
| ·硫化镉（CdS）和半导体硅 | 第13页 |
| ·有机光电导材料 | 第13-15页 |
| ·有机/无机分子复合光电导材料 | 第15-16页 |
| ·氢化非晶硅（a-Si:H） | 第16页 |
| ·氢化纳米硅（nc-Si:H） | 第16-17页 |
| ·本论文研究的主要内容 | 第17-19页 |
| 第二章 氢化非晶/纳米硅薄膜作为光敏层的性能分析 | 第19-26页 |
| ·非晶硅薄膜的结构特点 | 第19-21页 |
| ·氢化非晶硅薄膜的掺杂 | 第21-23页 |
| ·氢化非晶硅薄膜的掺杂概况 | 第21-22页 |
| ·硼掺杂氢化非晶硅薄膜 | 第22-23页 |
| ·氢化纳米硅 | 第23-25页 |
| ·氢化纳米硅的晶化 | 第23-25页 |
| ·氢化纳米硅的光敏性 | 第25页 |
| ·本章小结 | 第25-26页 |
| 第三章 射频磁控溅射法制备氢化非晶硅 | 第26-56页 |
| ·磁控溅射 | 第26-30页 |
| ·辉光放电过程 | 第26-28页 |
| ·磁控溅射原理 | 第28-29页 |
| ·磁控溅射特点 | 第29-30页 |
| ·本论文中实验设备及操作流程 | 第30-35页 |
| ·实验中装置及设备参数 | 第30-33页 |
| ·实验材料和参数情况 | 第33页 |
| ·实验过程 | 第33-35页 |
| ·非掺杂氢化非晶硅薄膜的制备 | 第35-42页 |
| ·实验 | 第35-36页 |
| ·溅射功率对沉积速率的影响 | 第36-37页 |
| ·衬底温度对沉积速率的影响 | 第37-38页 |
| ·溅射时间对溅射速率的影响 | 第38页 |
| ·衬底温度对吸收系数的影响 | 第38-39页 |
| ·溅射功率对吸收系数的影响 | 第39-40页 |
| ·衬底温度对电阻率的影响 | 第40-41页 |
| ·溅射功率对电阻率的影响 | 第41页 |
| ·氢分压对非晶硅透过率的影响 | 第41-42页 |
| ·硼轻掺杂氢化非晶硅薄膜的制备 | 第42-50页 |
| ·实验 | 第42-43页 |
| ·工艺参数对硼轻掺杂氢化非晶硅薄膜光电导性能的影响 | 第43-47页 |
| ·掺杂量对氢化非晶硅薄膜的光电导性能影响 | 第47-50页 |
| ·氢化纳米硅薄膜的制备 | 第50-54页 |
| ·纳米氢化非晶硅薄膜的晶化 | 第50-53页 |
| ·氢化非晶/纳米硅薄膜性能对比分析 | 第53-54页 |
| ·本章小结 | 第54-56页 |
| 第四章 液晶空间光调制器 | 第56-64页 |
| ·液晶空间光调制器的结构及等效电路分析 | 第56-61页 |
| ·液晶空间光调制器的结构分析 | 第56-60页 |
| ·液晶空间光调制器的结构及等效电路分析 | 第60-61页 |
| ·液晶空间光调制器的光敏测试 | 第61-63页 |
| ·本章小结 | 第63-64页 |
| 第五章 结论与展望 | 第64-65页 |
| ·结论 | 第64-65页 |
| 致谢 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-71页 |
| 攻读硕士期间发表的学术论文及学术情况 | 第71-72页 |