| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-10页 |
| 1 引言 | 第10-24页 |
| ·ZnO 的结构 | 第11-13页 |
| ·ZnO 的晶体结构 | 第11-12页 |
| ·ZnO 的电子能带结构 | 第12页 |
| ·缺陷的能级 | 第12-13页 |
| ·缺陷对导电性的影响 | 第13页 |
| ·氧化亚铜的性质和用途 | 第13-14页 |
| ·掺杂ZnO 薄膜的研究现状 | 第14页 |
| ·非易失性阻变存储器的研究进展 | 第14-16页 |
| ·非易失性阻变存储器的机制 | 第16-20页 |
| ·导电细丝理论模型 | 第16页 |
| ·电子强关联效应理论模型 | 第16-17页 |
| ·空间电荷限制电流理论模型 | 第17页 |
| ·修饰界面肖特基势垒理论模型 | 第17-18页 |
| ·畴隧穿模型 | 第18-19页 |
| ·场致晶体缺陷模型 | 第19-20页 |
| ·特性本论文的研究内容 | 第20-21页 |
| ·本论文的研究意义 | 第21-22页 |
| 参考文献 | 第22-24页 |
| 2 ZnO 和 ZnO: Cu 薄膜的制备及表征 | 第24-36页 |
| ·沉积原理 | 第24-26页 |
| ·PLD 法的反应4 个过程: | 第24-25页 |
| ·PLD 方法中影响薄膜生长的因素 | 第25-26页 |
| ·PLD 方法的特点 | 第26页 |
| ·ZnO:Cu 陶瓷靶材的制备流程 | 第26-27页 |
| ·PLD 技术制备ZnO:Cu 薄膜 | 第27-31页 |
| ·Si 衬底上ZnO:Cu 薄膜的生长 | 第27-28页 |
| ·Si 衬底上ZnO 薄膜的XRD 图 | 第28-29页 |
| ·Si 衬底上ZnO:Cu 薄膜的Raman 谱分析 | 第29-31页 |
| ·Si 衬底XPS 谱 | 第31-32页 |
| ·石英衬底上生长ZnO 及ZnO:Cu 薄膜 | 第32-34页 |
| ·石英衬底上ZnO 及ZnO:Cu 薄膜的XRD 图 | 第32-33页 |
| ·石英衬底上ZnO 及ZnO:Cu 薄膜的透射谱 | 第33-34页 |
| ·本章小结 | 第34-35页 |
| 参考文献 | 第35-36页 |
| 3 Pt 衬底上 ZnO 及 ZnO:Cu 薄膜的光致发光 | 第36-44页 |
| ·氧化锌的光致发光 | 第36-37页 |
| ·激子复合发光 | 第36-37页 |
| ·可见光发光机制(深能级发光) | 第37页 |
| ·Pt 衬底上ZnO 及ZnO:Cu 薄膜的XRD 谱 | 第37-38页 |
| ·Pt 衬底上 ZnO 及 ZnO:Cu 薄膜的光致发光谱 | 第38-40页 |
| ·本章小结 | 第40-41页 |
| 参考文献 | 第41-44页 |
| 4 ZnO 及 ZnO 掺 Cu 为 9%薄膜电阻开关性质 | 第44-53页 |
| ·引言 | 第44-45页 |
| ·实验和测试 | 第45-46页 |
| ·样品的制备 | 第45页 |
| ·样品的测试 | 第45-46页 |
| ·结构和形貌 | 第46-51页 |
| ·本章小结 | 第51-52页 |
| 参考文献 | 第52-53页 |
| 致谢 | 第53-54页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第54-55页 |
