| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-7页 |
| 1 绪论 | 第7-12页 |
| ·二维拓扑绝缘体简介 | 第7-9页 |
| ·缺陷对二维绝缘体电导的影响 | 第9-10页 |
| ·Aharonov-Bohm (AB)振荡 | 第10-12页 |
| 2 理论与计算方法 | 第12-19页 |
| ·格林函数与紧束缚模型 | 第12-13页 |
| ·格林函数的计算方法 | 第13-19页 |
| ·关于半无限长导线电导的计算 | 第13-15页 |
| ·中间导区电导的计算 | 第15页 |
| ·整体器件电导的计算 | 第15-16页 |
| ·磁场对电导的影响[37] | 第16-19页 |
| 3 缺陷和磁场对 HgTe 输运的影响 | 第19-29页 |
| ·引言 | 第19页 |
| ·理论模型与计算方法 | 第19-27页 |
| ·小结 | 第27-29页 |
| 4 总结与展望 | 第29-30页 |
| 参考文献 | 第30-33页 |
| 致谢 | 第33页 |