悬挂键、空位缺陷和碳链掺杂氮化镓纳米带性质的第一性原理研究

摘要	第1-5页
Abstract	第5-9页
第1章 绪论	第9-13页
·纳米材料和纳米半导体	第9-10页
·GaN纳米带制备及发展前景	第10-11页
·本论文的基本框架	第11-13页
第2章 计算方法和理论基础	第13-21页
·绝热近似	第13-15页
·单电子轨道近似	第15-16页
·密度泛函理论	第16-21页
·Hohenberg-Kohn定理	第16-17页
·Kohn-Sham方程	第17-18页
·局域密度近似(LDA)和广义梯度近似(GGA)	第18-19页
·VASP计算模拟包	第19-21页
第3章 悬挂键对氮化镓纳米带性质的影响	第21-31页
·计算模型和方法	第21-22页
·结果与讨论	第22-28页
·结论	第28-31页
第4章 单空位缺陷对氮化镓纳米带性质的影响	第31-39页
·计算模型和方法	第31-32页
·结果与讨论	第32-38页
·结论	第38-39页
第5章 单碳链掺杂锯齿形边缘氮化镓纳米带	第39-47页
·计算模型和方法	第39-40页
·结果和讨论	第40-46页
·结论	第46-47页
第6章 结论	第47-49页
参考文献	第49-55页
致谢	第55-57页
攻读硕士学位期间科研成果	第57页