| 摘要 | 第1-13页 |
| ABSTRACT | 第13-17页 |
| 第一章 前言 | 第17-35页 |
| ·分子电子学概述 | 第17-19页 |
| ·摩尔定律以及传统电子学的发展极限 | 第17-18页 |
| ·分子电子学的定义及其研究状况 | 第18-19页 |
| ·富勒烯分子器件研究现状 | 第19-29页 |
| ·拟开展的研究内容 | 第29-31页 |
| 参考文献 | 第31-35页 |
| 第二章 分子器件电输运性质的理论计算方法 | 第35-53页 |
| ·第一性原理计算 | 第35-46页 |
| ·波恩-奥本海默(Born-Oppenheimer)近似 | 第35-37页 |
| ·Hartree-Fock近似 | 第37-39页 |
| ·密度泛函理论方法 | 第39-44页 |
| ·Thomas-Fermi模型 | 第39-40页 |
| ·Hohenberg-Kohn定理 | 第40-42页 |
| ·Kohn-Sham方程 | 第42-44页 |
| ·交换关联势 | 第44-46页 |
| ·局域密度近似(Local Density Approximation,LDA) | 第44-45页 |
| ·广义梯度近似(General Gradient Approximation,GGA) | 第45-46页 |
| ·分子电子学中的非平衡格林函数方法 | 第46-49页 |
| ·密度泛函理论(DFT)与非平衡格林函数(NEGF)相结合处理分子器件电荷输运的计算过程 | 第49-50页 |
| 参考文献 | 第50-53页 |
| 第三章 不同的界面间距下C_(60)分子器件的电输运性质 | 第53-67页 |
| ·引言 | 第53-54页 |
| ·模型和方法 | 第54-56页 |
| ·不同的界面间距下Ag-C_(60)-Ag分子器件的电输运性质 | 第56-63页 |
| ·电流-电压特性曲线 | 第56-57页 |
| ·零偏压下透射谱与MPSH分析 | 第57-60页 |
| ·透射率随外加偏压的变化 | 第60-61页 |
| ·几个典型的偏压下分子器件各部分PDOS分析 | 第61-63页 |
| ·结论 | 第63页 |
| 参考文献 | 第63-67页 |
| 第四章 界面接触构型对(C_(20))_2分子器件电荷输运性质的影响 | 第67-79页 |
| ·引言 | 第67-69页 |
| ·模型和方法 | 第69-71页 |
| ·Au-(C_(20))_2-Au分子器件在不同的分子/电极接触构型下相干输运性质 | 第71-75页 |
| ·小结 | 第75-76页 |
| 参考文献 | 第76-79页 |
| 第五章 不同位置施加门电压对Au-(C_(20))_2-Au分子器件整流特性的影响 | 第79-91页 |
| ·引言 | 第79-80页 |
| ·模型和计算方法 | 第80-81页 |
| ·非对称门电压下Au-(C_(20))_2-Au分子器件电输运特性 | 第81-86页 |
| ·电流-电压特性曲线和整流比 | 第82页 |
| ·非对称门电压下透射谱与MPSH分析 | 第82-84页 |
| ·非对称门电压下透射谱随偏压的变化 | 第84-85页 |
| ·正负偏压下偏压窗内MPSH分析 | 第85-86页 |
| ·对称门电压下Au-(C_(20))_2-Au分子器件的电流-电压曲线与整流比 | 第86-87页 |
| ·小结 | 第87页 |
| 参考文献 | 第87-91页 |
| 第六章 非对称门电压下BDC_(20)分子器件的整流性质 | 第91-105页 |
| ·引言 | 第91-92页 |
| ·模型和方法 | 第92-94页 |
| ·非对称门电压下BDC_(20)分子器件的计算结果与讨论 | 第94-102页 |
| ·电流-电压特性曲线和整流比 | 第94-95页 |
| ·零偏压下前线轨道分子态的空间分布 | 第95-97页 |
| ·非对称门电压下透射谱随偏压的变化以及偏压窗内MPSH分析 | 第97-100页 |
| ·几个典型偏压下的PDOS值以及零偏压下静电势分布 | 第100-102页 |
| ·小结 | 第102页 |
| 参考文献 | 第102-105页 |
| 第七章 总结和展望 | 第105-109页 |
| 博士期间完成的论文目录 | 第109-113页 |
| 攻读博士学位期间所获奖励,参与课题以及参加的学术活动 | 第113-115页 |
| 致谢 | 第115-118页 |
| 附录：英文论文 | 第118-136页 |
| 附件 | 第136页 |
