基于多芯片组装的Ka波段相控阵接收组件的研究
| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 目录 | 第5-7页 |
| 1. 绪论 | 第7-12页 |
| ·概述 | 第7-8页 |
| ·相控阵雷达的发展 | 第8-9页 |
| ·T/R组件的发展状况 | 第9-10页 |
| ·本课题主要设计指标 | 第10-12页 |
| 2 相控阵接收组件的基本介绍和基本组成部分原理 | 第12-30页 |
| ·接收组件的简述 | 第12-13页 |
| ·低噪声放大器 | 第13-19页 |
| ·单端低噪声放大器的增益 | 第13-16页 |
| ·单端低噪声放大器的稳定性 | 第16-17页 |
| ·单端低噪声放大器的噪声系数 | 第17-19页 |
| ·数控衰减器的基本原理介绍 | 第19-26页 |
| ·PIN二极管衰减器介绍 | 第19-24页 |
| ·GaAs MESFET管微波数控衰减器 | 第24-26页 |
| ·数字移相器基本原理 | 第26-28页 |
| ·功率分配器的基本原理 | 第28-30页 |
| 3 相控阵接收组件的设计 | 第30-48页 |
| ·组件方案设计 | 第30-31页 |
| ·芯片的选择 | 第31-37页 |
| ·低噪声放大器芯片的选择 | 第31-33页 |
| ·数控衰减器的选择 | 第33-35页 |
| ·数控移相器的选择 | 第35-37页 |
| ·介质基板材料的选择 | 第37页 |
| ·功分器的仿真设计 | 第37-42页 |
| ·SIW的仿真设计 | 第42-45页 |
| ·金丝互联结构仿真设计 | 第45-48页 |
| ·单跟金丝互联结构仿真 | 第45-46页 |
| ·两根金丝互联结构仿真 | 第46-48页 |
| 4 组件的工艺实现 | 第48-56页 |
| ·多芯片组装粘片技术的实现 | 第48-50页 |
| ·金丝键合技术的实现 | 第50-56页 |
| ·焊接工艺 | 第50-51页 |
| ·球焊机焊机原理 | 第51-53页 |
| ·楔形金丝键合焊接原理 | 第53-54页 |
| ·金丝焊接牢固度检测 | 第54-56页 |
| 5 相控阵接收组件的测试 | 第56-69页 |
| ·相控阵接收组件的测试方案 | 第56-58页 |
| ·测试内容 | 第56页 |
| ·测试仪器 | 第56页 |
| ·测试方案框图 | 第56-58页 |
| ·相控阵接收组件的测试结果 | 第58-67页 |
| ·组件带外抑制的测试 | 第59-60页 |
| ·组件噪声系数和增益的测试 | 第60-62页 |
| ·组件驻波比测试 | 第62-63页 |
| ·移相精度的测量 | 第63-65页 |
| ·衰减精度的测量 | 第65-67页 |
| ·测试结论 | 第67-69页 |
| 总结 | 第69-70页 |
| 致谢 | 第70-71页 |
| 参考文献 | 第71-73页 |
