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硫化铜粉体和薄膜的制备工艺及性能研究

摘要第1-7页
ABSTRACT第7-12页
1 绪论第12-23页
   ·硫属化合物微/纳米材料概述第12-17页
     ·硫属化合物的制备方法第12-15页
     ·硫属化合物的应用前景第15-16页
     ·晶体结构与性能的关系第16-17页
   ·液相法中晶体的生长与形貌控制第17-21页
     ·经典液相晶体生长理论第17-19页
     ·纳米晶体的自组装第19-20页
     ·晶体生长形态的热力学分析第20页
     ·晶体生长形态的动力学分析第20-21页
   ·选题意义及研究内容第21-23页
2 实验第23-27页
   ·实验试剂第23页
   ·实验仪器第23-24页
   ·实验路线第24-25页
     ·微波水热法制备 CuS 微晶工艺过程第24页
     ·CuS 薄膜的工艺过程第24-25页
   ·仪器表征第25-27页
     ·X 射线衍射分析(XRD)第25页
     ·扫描电子显微镜分析(SEM)第25页
     ·透射电子显微镜分析(TEM)第25页
     ·原子力显微镜分析(AFM)第25页
     ·红外可见光谱分析(FT-IR)第25-26页
     ·紫外/可见/近红外光谱分析(UV/VIS/NIR)第26-27页
3 微波水热工艺因素对 CuS 粉体的影响第27-43页
   ·不同 S 源对所制备产物的影响第27-29页
     ·XRD 分析第27-29页
   ·不同 Cu 源对产物 CuS 的影响第29-30页
     ·XRD 分析第29-30页
     ·SEM 分析第30页
   ·不同 pH 值对产物的影响第30-32页
     ·XRD 分析第30-31页
     ·反应机理第31-32页
   ·微波水热反应时间的影响第32-37页
     ·XRD第32-33页
     ·SEM 分析第33-35页
     ·合成产物的元素分析第35页
     ·生长机理第35-36页
     ·不同形貌 CuS 的光学性质分析第36-37页
   ·微波水热不同温度的影响第37-39页
     ·XRD 分析第37-38页
     ·SEM 分析第38-39页
   ·S/Cu 比的影响第39-42页
     ·XRD第39-40页
     ·SEM 和 TEM 分析第40-42页
   ·本章小结第42-43页
4 不同表面活性剂修饰下特定形貌的 CuS 晶体的合成第43-61页
   ·引言第43页
   ·PVP 修饰 CuS 一维结构的合成第43-50页
     ·产物的 XRD第44-45页
     ·PVP 浓度的影响第45-46页
     ·反应时间的影响第46-47页
     ·反应溶剂的影响第47-48页
     ·CuS 一维结构的形成机制第48-49页
     ·光学性能第49-50页
   ·PVP 修饰的 CuS 环状自组装结构的合成第50-56页
       ·环状自组装结构的 SEM 和 EDS 表征第50-51页
     ·S/Cu 比的影响第51-53页
     ·PVP 浓度对环状结构的影响第53-54页
     ·生长机制第54-55页
     ·光学性能第55-56页
   ·CTAB 修饰 CuS 花状结构的合成第56-60页
     ·XRD 分析第56-57页
     ·SEM 分析第57页
     ·TEM 分析第57-58页
     ·生长机理第58-59页
     ·光学性能第59-60页
   ·本章小结第60-61页
5 硫化铜薄膜的制备第61-69页
   ·引言第61页
   ·化学沉积法(CBD)制备 CuS 薄膜第61-63页
     ·XRD 分析第61-62页
     ·SEM 分析第62-63页
   ·微波水热法(MH)制备硫化铜薄膜第63-68页
     ·不同 MH 温度下制备 CuS 薄膜的物相、形貌及光学性能分析第63-66页
     ·不同 MH 时间下所制备 CuS 薄膜的能谱和形貌分析第66-68页
   ·本章小结第68-69页
6 结论第69-70页
致谢第70-71页
参考文献第71-78页
攻读学位期间发表的学术论文第78-79页

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