摘要 | 第1-7页 |
ABSTRACT | 第7-12页 |
1 绪论 | 第12-23页 |
·硫属化合物微/纳米材料概述 | 第12-17页 |
·硫属化合物的制备方法 | 第12-15页 |
·硫属化合物的应用前景 | 第15-16页 |
·晶体结构与性能的关系 | 第16-17页 |
·液相法中晶体的生长与形貌控制 | 第17-21页 |
·经典液相晶体生长理论 | 第17-19页 |
·纳米晶体的自组装 | 第19-20页 |
·晶体生长形态的热力学分析 | 第20页 |
·晶体生长形态的动力学分析 | 第20-21页 |
·选题意义及研究内容 | 第21-23页 |
2 实验 | 第23-27页 |
·实验试剂 | 第23页 |
·实验仪器 | 第23-24页 |
·实验路线 | 第24-25页 |
·微波水热法制备 CuS 微晶工艺过程 | 第24页 |
·CuS 薄膜的工艺过程 | 第24-25页 |
·仪器表征 | 第25-27页 |
·X 射线衍射分析(XRD) | 第25页 |
·扫描电子显微镜分析(SEM) | 第25页 |
·透射电子显微镜分析(TEM) | 第25页 |
·原子力显微镜分析(AFM) | 第25页 |
·红外可见光谱分析(FT-IR) | 第25-26页 |
·紫外/可见/近红外光谱分析(UV/VIS/NIR) | 第26-27页 |
3 微波水热工艺因素对 CuS 粉体的影响 | 第27-43页 |
·不同 S 源对所制备产物的影响 | 第27-29页 |
·XRD 分析 | 第27-29页 |
·不同 Cu 源对产物 CuS 的影响 | 第29-30页 |
·XRD 分析 | 第29-30页 |
·SEM 分析 | 第30页 |
·不同 pH 值对产物的影响 | 第30-32页 |
·XRD 分析 | 第30-31页 |
·反应机理 | 第31-32页 |
·微波水热反应时间的影响 | 第32-37页 |
·XRD | 第32-33页 |
·SEM 分析 | 第33-35页 |
·合成产物的元素分析 | 第35页 |
·生长机理 | 第35-36页 |
·不同形貌 CuS 的光学性质分析 | 第36-37页 |
·微波水热不同温度的影响 | 第37-39页 |
·XRD 分析 | 第37-38页 |
·SEM 分析 | 第38-39页 |
·S/Cu 比的影响 | 第39-42页 |
·XRD | 第39-40页 |
·SEM 和 TEM 分析 | 第40-42页 |
·本章小结 | 第42-43页 |
4 不同表面活性剂修饰下特定形貌的 CuS 晶体的合成 | 第43-61页 |
·引言 | 第43页 |
·PVP 修饰 CuS 一维结构的合成 | 第43-50页 |
·产物的 XRD | 第44-45页 |
·PVP 浓度的影响 | 第45-46页 |
·反应时间的影响 | 第46-47页 |
·反应溶剂的影响 | 第47-48页 |
·CuS 一维结构的形成机制 | 第48-49页 |
·光学性能 | 第49-50页 |
·PVP 修饰的 CuS 环状自组装结构的合成 | 第50-56页 |
·环状自组装结构的 SEM 和 EDS 表征 | 第50-51页 |
·S/Cu 比的影响 | 第51-53页 |
·PVP 浓度对环状结构的影响 | 第53-54页 |
·生长机制 | 第54-55页 |
·光学性能 | 第55-56页 |
·CTAB 修饰 CuS 花状结构的合成 | 第56-60页 |
·XRD 分析 | 第56-57页 |
·SEM 分析 | 第57页 |
·TEM 分析 | 第57-58页 |
·生长机理 | 第58-59页 |
·光学性能 | 第59-60页 |
·本章小结 | 第60-61页 |
5 硫化铜薄膜的制备 | 第61-69页 |
·引言 | 第61页 |
·化学沉积法(CBD)制备 CuS 薄膜 | 第61-63页 |
·XRD 分析 | 第61-62页 |
·SEM 分析 | 第62-63页 |
·微波水热法(MH)制备硫化铜薄膜 | 第63-68页 |
·不同 MH 温度下制备 CuS 薄膜的物相、形貌及光学性能分析 | 第63-66页 |
·不同 MH 时间下所制备 CuS 薄膜的能谱和形貌分析 | 第66-68页 |
·本章小结 | 第68-69页 |
6 结论 | 第69-70页 |
致谢 | 第70-71页 |
参考文献 | 第71-78页 |
攻读学位期间发表的学术论文 | 第78-79页 |