| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-10页 |
| 1 绪论 | 第10-30页 |
| ·透明导电薄膜的研究现状 | 第10-16页 |
| ·SnO2基透明导电薄膜 | 第11-13页 |
| ·In2O3基透明导电薄膜 | 第13页 |
| ·ZnO 基透明导电薄膜 | 第13-16页 |
| ·ZnO 的基本性能 | 第16-19页 |
| ·ZnO 的基本结构 | 第16-17页 |
| ·ZnO 的基本物理参数 | 第17页 |
| ·ZnO 的能带结构 | 第17-19页 |
| ·ZnO 薄膜的制备技术 | 第19-25页 |
| ·ZnO 薄膜的应用 | 第25-27页 |
| ·研究意义和研究内容 | 第27-30页 |
| 2 ZnO:Sn 薄膜的制备与表征 | 第30-44页 |
| ·射频磁控溅射的原理 | 第30-31页 |
| ·ZnO:Sn 薄膜的制备方法 | 第31-35页 |
| ·射频磁控溅射装置 | 第31-32页 |
| ·靶材的制备和衬底的清洗 | 第32-33页 |
| ·ZnO:Sn 薄膜的沉积过程 | 第33-34页 |
| ·ZnO:Sn 薄膜的制备条件 | 第34-35页 |
| ·ZnO:Sn 薄膜的表征方法 | 第35-44页 |
| ·薄膜晶体结构测试(XRD) | 第35-37页 |
| ·薄膜表面形貌测试(SEM) | 第37-39页 |
| ·薄膜表面成分及化学态分析(XPS) | 第39页 |
| ·薄膜透射光谱的测试 | 第39-40页 |
| ·薄膜厚度 | 第40-41页 |
| ·Hall 效应的测试(Hall measurement) | 第41-44页 |
| 3 ZnO:Sn 薄膜的结构特性 | 第44-58页 |
| ·掺杂浓度对薄膜结构特性的影响 | 第44-47页 |
| ·掺杂浓度对薄膜表面成分和化学态的影响 | 第47-52页 |
| ·衬底温度对薄膜结构特性的影响 | 第52-54页 |
| ·薄膜厚度对薄膜结构特性的影响 | 第54-57页 |
| ·本章小结 | 第57-58页 |
| 4 ZnO:Sn 薄膜的电学特性 | 第58-64页 |
| ·ZnO:Sn 薄膜的导电机制 | 第58-59页 |
| ·掺杂浓度对薄膜电学特性的影响 | 第59-61页 |
| ·衬底温度对薄膜电学特性的影响 | 第61-62页 |
| ·薄膜厚度对薄膜电学特性的影响 | 第62-63页 |
| ·本章小结 | 第63-64页 |
| 5 ZnO:Sn 薄膜的光学特性 | 第64-74页 |
| ·ZnO:Sn 薄膜的可见光透射光谱 | 第64-65页 |
| ·掺杂浓度对薄膜光学特性的影响 | 第65-68页 |
| ·衬底温度对薄膜光学特性的影响 | 第68-70页 |
| ·薄膜厚度对薄膜光学特性的影响 | 第70-71页 |
| ·本章小结 | 第71-74页 |
| 6 结论与展望 | 第74-76页 |
| ·主要结论 | 第74-75页 |
| ·后续工作与展望 | 第75-76页 |
| 致谢 | 第76-78页 |
| 参考文献 | 第78-84页 |
| 个人简历、在学期间发表的学术论文及取得的研究成果 | 第84页 |