| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-22页 |
| ·太阳能电池材料的研究现状和发展趋势 | 第10-15页 |
| ·Si_(1-x)Ge_x材料的结构及应用 | 第15-17页 |
| ·Si_(1-x)Ge_x材料的结构 | 第15-16页 |
| ·Si_(1-x)Ge_x材料的研究现状及应用 | 第16-17页 |
| ·硅锗薄膜的制备方法 | 第17-19页 |
| ·物理气相沉积方法 | 第17-18页 |
| ·化学气相沉积 | 第18-19页 |
| ·本课题的研究目的及意义 | 第19-20页 |
| ·本课题的研究内容及方法 | 第20-22页 |
| 第二章 实验设备与方法 | 第22-29页 |
| ·实验原理与设备 | 第22-23页 |
| ·磁控溅射原理 | 第22-23页 |
| ·磁控溅射设备 | 第23页 |
| ·实验材料的准备 | 第23-25页 |
| ·靶材的制备 | 第23-24页 |
| ·基片的选择 | 第24-25页 |
| ·镀膜的操作流程及工艺流程 | 第25页 |
| ·薄膜的热处理 | 第25-26页 |
| ·薄膜的测试方法 | 第26-29页 |
| ·薄膜厚度的测量 | 第26页 |
| ·X 射线衍射分析 | 第26-27页 |
| ·扫描电镜及能谱分析 | 第27页 |
| ·拉曼光谱分析 | 第27页 |
| ·紫外-可见光谱分析 | 第27页 |
| ·划痕实验分析 | 第27-29页 |
| 第三章 Si_(1-x)Ge_x薄膜的磁控溅射工艺与性能 | 第29-47页 |
| ·Si_(1-x)Ge_x 薄膜的溅射沉积工艺 | 第29-35页 |
| ·Si_(1-x)Ge_x 沉积速率和表面粗糙度 | 第29-35页 |
| ·Si_(1-x)Ge_x 薄膜的组织结构 | 第35-41页 |
| ·Si_(1-x)Ge_x 薄膜的结晶性能 | 第35-37页 |
| ·Si_(1-x)Ge_x 薄膜的表面形貌和成分 | 第37-41页 |
| ·Si_(1-x)Ge_x 薄膜的光吸收性能 | 第41-44页 |
| ·Si_(1-x)Ge_x 薄膜的力学性能 | 第44-46页 |
| ·硅锗薄膜最佳沉积工艺的确定 | 第46页 |
| ·本章小结 | 第46-47页 |
| 第四章 SiGe 和SiGe/ZnO 薄膜退火后的组织与性能 | 第47-58页 |
| ·SiGe 和SiGe/ZnO 薄膜的沉积及退火工艺的选择 | 第47-48页 |
| ·SiGe 和SiGe/ZnO 薄膜退火后的微结构 | 第48-53页 |
| ·SiGe 和SiGe/ZnO 薄膜退火后的结晶性能分析 | 第48-50页 |
| ·SiGe 和SiGe/ZnO 薄膜退火后的结构及形貌分析 | 第50-53页 |
| ·SiGe 和SiGe/ZnO 薄膜退火后的光吸收性能 | 第53-55页 |
| ·SiGe 和SiGe/ZnO 薄膜退火后的力学性能 | 第55-57页 |
| ·本章小结 | 第57-58页 |
| 第五章 μc-SiGe/poly-SiGe/ZnO 多层薄膜的制备与性能 | 第58-64页 |
| ·μc-SiGe/poly-SiGe/ZnO 多层薄膜的设计和制备 | 第58-59页 |
| ·μc-SiGe/poly-SiGe/ZnO 多层薄膜的微结构 | 第59-61页 |
| ·μc-SiGe/poly-SiGe/ZnO 多层薄膜的光吸收性能 | 第61页 |
| ·μc -SiGe/poly-SiGe/ZnO 多层薄膜的力学性能 | 第61-63页 |
| ·本章小结 | 第63-64页 |
| 第六章 结论 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-72页 |
| 致谢 | 第72-73页 |
| 学习期间发表的学术论文 | 第73页 |
