| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-11页 |
| 第1章 引言 | 第11-13页 |
| ·研究目的与意义 | 第11页 |
| ·国内外研究现状 | 第11-12页 |
| ·主要研究内容 | 第12-13页 |
| 第2章 闪烁体 | 第13-19页 |
| ·闪烁体的主要特性参数 | 第13-14页 |
| ·发射光谱 | 第13页 |
| ·发光效率 | 第13-14页 |
| ·探测效率 | 第14页 |
| ·闪烁衰减时间 | 第14页 |
| ·能量响应 | 第14页 |
| ·闪烁体的分类 | 第14-15页 |
| ·无机闪烁体的种类和性质 | 第15-17页 |
| ·碘化钠 NaI(Tl)晶体 | 第15页 |
| ·碘化铯 CsI 系列闪烁晶体 | 第15-16页 |
| ·锗酸锡 BGO(Bi3Ge4O12)晶体 | 第16-17页 |
| ·常用的有机闪烁体 | 第17页 |
| ·塑料闪烁体 | 第17页 |
| ·蒽晶体 | 第17页 |
| ·液体闪烁体 | 第17页 |
| ·闪烁体的选择 | 第17-19页 |
| 第3章 γ射线与物质的相互作用及检测 | 第19-28页 |
| ·光电效应 | 第19-21页 |
| ·光电子的能量 | 第19-20页 |
| ·光电截面 | 第20页 |
| ·光电子的角分布 | 第20-21页 |
| ·康普顿效应 | 第21-22页 |
| ·反冲电子与散射光子的能量与散射角及入射光子能量之间的关系 | 第21-22页 |
| ·康普顿散射截面 | 第22页 |
| ·反冲电子的角分布和能量分布 | 第22页 |
| ·电子对效应 | 第22-24页 |
| ·γ射线的吸收 | 第24页 |
| ·γ射线的探测和测量 | 第24-25页 |
| ·γ射线测量的一般考虑 | 第24-25页 |
| ·γ射线能谱学的一般原理 | 第25页 |
| ·常用的γ射线探测器 | 第25-28页 |
| ·气体探测器 | 第25-26页 |
| ·半导体探测器 | 第26页 |
| ·闪烁探测器 | 第26-28页 |
| 第4章 光电转换器 | 第28-35页 |
| ·光电倍增管 | 第28-30页 |
| ·工作原理 | 第28-29页 |
| ·特性和参数 | 第29-30页 |
| ·光电二极管 | 第30-31页 |
| ·工作原理 | 第30页 |
| ·主要参数特性 | 第30-31页 |
| ·PIN 硅光电二极管 | 第31-35页 |
| ·PIN 硅光电二极管的结构 | 第32页 |
| ·工作原理 | 第32-33页 |
| ·器件性能 | 第33-35页 |
| 第5章 探头的设计和实现 | 第35-43页 |
| ·探测器的选择和性能研究 | 第36-37页 |
| ·CsI(Tl)晶体的选择分析 | 第36页 |
| ·光电转换器的选择和分析 | 第36-37页 |
| ·前置放大器的设计 | 第37-43页 |
| ·前置放大器的作用和分类 | 第38-39页 |
| ·电荷灵敏前置放大器的基本原理 | 第39-40页 |
| ·电荷灵敏前置放大器的特点 | 第40-41页 |
| ·电路设计 | 第41-43页 |
| 第6章 电子电路的设计与实现 | 第43-58页 |
| ·线性脉冲放大器 | 第43-46页 |
| ·线性放大电路 | 第43-44页 |
| ·脉冲成形电路 | 第44-46页 |
| ·脉冲幅度甄别器 | 第46-47页 |
| ·电源电路 | 第47-52页 |
| ·转 5V 电源设计 | 第48-49页 |
| ·探测器偏置电源 | 第49-51页 |
| ·运放用正负 2.5V 电源设计 | 第51-52页 |
| ·主控制电路 | 第52-58页 |
| ·硬件设计 | 第53-54页 |
| ·软件设计 | 第54-58页 |
| 第7章 系统检测和测试 | 第58-63页 |
| ·测试参数 | 第58-59页 |
| ·能量阈 | 第58页 |
| ·能量线性 | 第58-59页 |
| ·系统检测 | 第59-63页 |
| 结论 | 第63-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-67页 |
| 攻读学位期间取得学术成果 | 第67页 |