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动态鞘层长探针检测及保形增强沉积工艺初步探索

摘要第1-6页
Abstract第6-10页
1 绪论第10-24页
   ·历史回顾——材料改性对等离子体技术的需求第10-12页
   ·PIII技术在材料改性工艺中的应用简介第12-15页
   ·复杂零件的改型要求与PIII技术的局限性第15-22页
   ·本文的工作安排第22-24页
2 关于PIII中动态鞘层模型与实验研究概况第24-40页
   ·等离子体鞘层第24-26页
   ·PIII鞘层的概念与理论模拟研究概况第26-35页
     ·德拜屏蔽第26-29页
     ·查尔德定律鞘层(Child Law Sheath)及其演化第29-33页
     ·高压鞘层现有模型的数值模拟第33-35页
   ·高压动态鞘层测量实验研究现状及存在的问题第35-39页
   ·小结第39-40页
3 动态鞘层长探针测量的基本原理及实验研究第40-86页
   ·动态鞘层长探针测量的基本原理第40-42页
   ·磁控溅射等离子体动态鞘层的测量第42-52页
     ·等离子体的产生及试验条件第42-44页
     ·磁控溅射等离子鞘层的波形观察第44-49页
     ·磁控溅射等离子体鞘层与理论估算值的对比第49-52页
   ·脉冲阴极弧金属等离子体动态鞘层的测量第52-85页
     ·实验方案及装置第52-58页
     ·基体周围鞘层的测量第58-75页
     ·基体上下游鞘层尺寸对比及分析第75-77页
     ·关于鞘层时间特性的考察第77-85页
   ·小结第85-86页
4 微波ECR等离子体源与脉冲高压电源的改进第86-102页
   ·普通微波ECR等离子体源简介及其存在的问题第86-89页
     ·微波ECR等离子体源简介第86-89页
     ·普通微波ECR等离子体源存在的问题第89页
   ·采用铁芯结构对微波ECR源的改进第89-94页
   ·负脉冲高压电源的改进第94-101页
     ·有关负脉冲高压电源简介第94-95页
     ·“PFN”+氢闸流管的并联调制方案第95-99页
     ·“脉冲+直流”的复合偏压及动态混合沉积的实现第99-101页
   ·小结第101-102页
5 保形增强沉积工艺探索及偏压对沉积粒子附着系数的影响第102-120页
   ·薄膜生长简介第102-107页
     ·薄膜生长机理第102-106页
     ·薄膜沉积工艺的几种形式第106-107页
   ·保形注入与沉积的杯形件试验第107-108页
   ·PIII&D工艺制备TiN涂层性能试验第108-112页
   ·基体偏压对斜入射沉积粒子附着系数的影响第112-119页
     ·实验装置与方法第112-113页
     ·偏压对斜入射粒子附着系数的影响第113-115页
     ·其它因素对附着系数的影响第115-119页
   ·小结第119-120页
结论第120-121页
工作展望第121-122页
参考文献第122-128页
创新点摘要第128-129页
攻读博士学位期间发表学术论文情况第129-130页
致谢第130-131页
作者简介第131-132页

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