摘要 | 第1-6页 |
Abstract | 第6-10页 |
1 绪论 | 第10-24页 |
·历史回顾——材料改性对等离子体技术的需求 | 第10-12页 |
·PIII技术在材料改性工艺中的应用简介 | 第12-15页 |
·复杂零件的改型要求与PIII技术的局限性 | 第15-22页 |
·本文的工作安排 | 第22-24页 |
2 关于PIII中动态鞘层模型与实验研究概况 | 第24-40页 |
·等离子体鞘层 | 第24-26页 |
·PIII鞘层的概念与理论模拟研究概况 | 第26-35页 |
·德拜屏蔽 | 第26-29页 |
·查尔德定律鞘层(Child Law Sheath)及其演化 | 第29-33页 |
·高压鞘层现有模型的数值模拟 | 第33-35页 |
·高压动态鞘层测量实验研究现状及存在的问题 | 第35-39页 |
·小结 | 第39-40页 |
3 动态鞘层长探针测量的基本原理及实验研究 | 第40-86页 |
·动态鞘层长探针测量的基本原理 | 第40-42页 |
·磁控溅射等离子体动态鞘层的测量 | 第42-52页 |
·等离子体的产生及试验条件 | 第42-44页 |
·磁控溅射等离子鞘层的波形观察 | 第44-49页 |
·磁控溅射等离子体鞘层与理论估算值的对比 | 第49-52页 |
·脉冲阴极弧金属等离子体动态鞘层的测量 | 第52-85页 |
·实验方案及装置 | 第52-58页 |
·基体周围鞘层的测量 | 第58-75页 |
·基体上下游鞘层尺寸对比及分析 | 第75-77页 |
·关于鞘层时间特性的考察 | 第77-85页 |
·小结 | 第85-86页 |
4 微波ECR等离子体源与脉冲高压电源的改进 | 第86-102页 |
·普通微波ECR等离子体源简介及其存在的问题 | 第86-89页 |
·微波ECR等离子体源简介 | 第86-89页 |
·普通微波ECR等离子体源存在的问题 | 第89页 |
·采用铁芯结构对微波ECR源的改进 | 第89-94页 |
·负脉冲高压电源的改进 | 第94-101页 |
·有关负脉冲高压电源简介 | 第94-95页 |
·“PFN”+氢闸流管的并联调制方案 | 第95-99页 |
·“脉冲+直流”的复合偏压及动态混合沉积的实现 | 第99-101页 |
·小结 | 第101-102页 |
5 保形增强沉积工艺探索及偏压对沉积粒子附着系数的影响 | 第102-120页 |
·薄膜生长简介 | 第102-107页 |
·薄膜生长机理 | 第102-106页 |
·薄膜沉积工艺的几种形式 | 第106-107页 |
·保形注入与沉积的杯形件试验 | 第107-108页 |
·PIII&D工艺制备TiN涂层性能试验 | 第108-112页 |
·基体偏压对斜入射沉积粒子附着系数的影响 | 第112-119页 |
·实验装置与方法 | 第112-113页 |
·偏压对斜入射粒子附着系数的影响 | 第113-115页 |
·其它因素对附着系数的影响 | 第115-119页 |
·小结 | 第119-120页 |
结论 | 第120-121页 |
工作展望 | 第121-122页 |
参考文献 | 第122-128页 |
创新点摘要 | 第128-129页 |
攻读博士学位期间发表学术论文情况 | 第129-130页 |
致谢 | 第130-131页 |
作者简介 | 第131-132页 |