高亮度光阴极注入器关键技术研究
| 中文摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-30页 |
| ·论文的选题背景及意义 | 第10-16页 |
| ·选题背景 | 第10-14页 |
| ·论文选题的意义 | 第14-16页 |
| ·光阴极注入器介绍及发展现状 | 第16-20页 |
| ·几种主要的光阴极注入器 | 第16-19页 |
| ·其它类型的注入器 | 第19-20页 |
| ·光阴极注入器中的主要物理问题 | 第20-28页 |
| ·稳定的光阴极材料 | 第20-25页 |
| ·发射度及发射度补偿 | 第25-27页 |
| ·其它一些物理问题 | 第27-28页 |
| ·本论文的主要研究内容和创新点 | 第28-30页 |
| ·论文的主要内容 | 第28-29页 |
| ·论文的创新点 | 第29-30页 |
| 第二章 注入器中发射度的研究 | 第30-56页 |
| ·电子束品质参数及发射度的定义 | 第30-32页 |
| ·电子在注入器中所受到的力及传输 | 第32-40页 |
| ·单电子轨迹方程 | 第32-35页 |
| ·束流产生的力 | 第35-39页 |
| ·柱状电子束的包络方程 | 第39-40页 |
| ·注入器中的发射度 | 第40-51页 |
| ·本征发射度 | 第40-44页 |
| ·阴极表面螺线管场引起的发射度 | 第44-45页 |
| ·空间电荷力产生的发射度 | 第45-47页 |
| ·一阶射频场产生的发射度 | 第47-51页 |
| ·三阶射频场产生的发射度 | 第51-53页 |
| ·含有三阶射频时电子的运动方程 | 第51页 |
| ·三阶射频场对纵向发射度的影响 | 第51-52页 |
| ·三阶射频场对横向发射度的影响 | 第52-53页 |
| ·小结 | 第53-56页 |
| 第三章 CAEP DC-gun中的发射度补偿 | 第56-74页 |
| ·CAEP DC-gun | 第56-59页 |
| ·DC-gun的基本设计 | 第56页 |
| ·DC-gun中电子运动方程 | 第56-58页 |
| ·DC-gun中粒子动力学模拟 | 第58-59页 |
| ·空间电荷力发射度补偿的理论分析 | 第59-70页 |
| ·空间电荷力发射度补偿原理 | 第59-60页 |
| ·空间电荷力发射度补偿理论模型 | 第60-70页 |
| ·CAEP DC-gun发射度补偿结果 | 第70-72页 |
| ·小结 | 第72-74页 |
| 第四章 金刚石薄膜放大阴极物理分析 | 第74-94页 |
| ·本论文关于金刚石薄膜放大阴极的研究背景简介 | 第74-75页 |
| ·金刚石薄膜放大阴极的物理性质 | 第75-79页 |
| ·金刚石的性质 | 第75-76页 |
| ·金刚石薄膜放大阴极原理 | 第76-79页 |
| ·金刚石薄膜中二次电子输运模拟 | 第79-92页 |
| ·MC简介 | 第79页 |
| ·计算方法与模型 | 第79-83页 |
| ·单个二次电子输运模拟结果 | 第83-87页 |
| ·二次电子束团整体输运模拟结果 | 第87-92页 |
| ·小结 | 第92-94页 |
| 第五章 金刚石薄膜放大阴极初步实验 | 第94-106页 |
| ·实验目的 | 第94-95页 |
| ·实验方法 | 第95-98页 |
| ·实验材料 | 第98-101页 |
| ·实验初步结果与分析 | 第101-104页 |
| ·小结 | 第104-106页 |
| 第六章 总结 | 第106-110页 |
| 参考文献 | 第110-118页 |
| 致谢 | 第118-120页 |
| 博士学位期间发表的主要论文 | 第120页 |
