摘要 | 第1-5页 |
Abstract | 第5-8页 |
1 绪论 | 第8-16页 |
·选题依据及意义 | 第8-9页 |
·同位素微电池的优点 | 第9-12页 |
·基于β辐射伏特效应的同位素微电池的发展现状 | 第12-15页 |
·本文的研究目的、研究内容 | 第15-16页 |
2 基于β辐射伏特效应的同位素微电池的结构与工作原理 | 第16-24页 |
·辐射伏特效应同位素微电池的结构 | 第16-18页 |
·按照表面状况分类 | 第16-17页 |
·按照掺杂方式分类 | 第17-18页 |
·辐射伏特效应同位素微电池的工作原理 | 第18-23页 |
·辐射伏特效应介绍 | 第18-19页 |
·电子空穴对的产生 | 第19-21页 |
·电子空穴对的复合 | 第21-23页 |
·载流子输运 | 第23页 |
·本章小结 | 第23-24页 |
3 基于β辐射伏特效应的同位素微电池的设计 | 第24-38页 |
·能量转换结构的设计 | 第24-32页 |
·电池表面积对电池性能的影响 | 第24-26页 |
·掺杂方式对电池性能的影响 | 第26-31页 |
·掺杂浓度对电池性能的影响 | 第31-32页 |
·电极设计 | 第32-33页 |
·同位素源选择 | 第33-37页 |
·同位素材料介绍 | 第33-34页 |
·同位素的衰变方式 | 第34-35页 |
·同位素的选择 | 第35-37页 |
·本章小结 | 第37-38页 |
4 基于β辐射伏特效应的同位素微电池的制作工艺 | 第38-64页 |
·硅片清洗 | 第38-39页 |
·二氧化硅的制备及腐蚀 | 第39-41页 |
·二氧化硅的制备 | 第39-41页 |
·二氧化硅湿法腐蚀 | 第41页 |
·硅的腐蚀 | 第41-43页 |
·硅片掺杂 | 第43-52页 |
·扩散 | 第43-50页 |
·离子注入 | 第50-52页 |
·表面电极的制作工艺 | 第52-60页 |
·模具法制作电极 | 第52-54页 |
·利用SU8胶剥离工艺制作表面电极的新工艺 | 第54-60页 |
·能量转换结构的制作工艺 | 第60-62页 |
·测试 | 第62-63页 |
·本章小结 | 第63-64页 |
5 总结与展望 | 第64-65页 |
参考文献 | 第65-68页 |
附录 掩膜版 | 第68-71页 |
攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第71-72页 |
致谢 | 第72-73页 |