Abstract | 第1-7页 |
摘要 | 第7-13页 |
第一章 绪论 | 第13-25页 |
·前言 | 第13-15页 |
·非整比纳米化合物 | 第15-19页 |
·非整比化合物发展历史 | 第15-16页 |
·非整比化合物形成机理 | 第16-17页 |
·非整比化合物的类型 | 第17-18页 |
·非整比化合物的应用 | 第18-19页 |
·II-VI三元非整比半导体纳米材料的研究及发展状况 | 第19-23页 |
·II—VI族纳米半导体材料的研究及发展状况 | 第19-20页 |
·II—VI三元非整比半导体纳米材料的研究及发展状况 | 第20页 |
·II—VI三元非整比半导体纳米材料的制备方法 | 第20-23页 |
·课题研究的主要内容及意义 | 第23-25页 |
第二章 实验原料、设备及表征仪器 | 第25-32页 |
·实验原料 | 第25-26页 |
·金属源 | 第26页 |
·非金属源 | 第26页 |
·溶剂及表面活性剂 | 第26页 |
·洗涤药品 | 第26页 |
·实验仪器 | 第26-27页 |
·实验表征方法和仪器设备 | 第27-30页 |
·X射线衍射分析 | 第27-28页 |
·TEM表征设备 | 第28-30页 |
·光致发光光谱与荧光光谱表征 | 第30页 |
·紫外—可见吸收吸收光谱(UV-vis) | 第30页 |
·本章小结 | 第30-32页 |
第三章 三元非整比化合物Cd_xZn_(1-x)S纳米晶的合成与光学性质研究 | 第32-45页 |
·引言 | 第32页 |
·非化学计量比三元化合物 Cd_xZn_(1-x)S的制备 | 第32-33页 |
·实验结果与讨论 | 第33-42页 |
·Cd_xZn_(1-x)S纳米棒的 XRD表征分析 | 第33-36页 |
·Cd_xZn_(1-x)S纳米棒的 TEM表征分析 | 第36页 |
·Cd_xZn_(1-x)S纳米棒的光致发光(PL)性能的分析 | 第36-39页 |
·Cd_xZn_(1-x)S纳米棒的紫外吸收(UV-vis)性能分析 | 第39-40页 |
·Cd_xZn_(1-x)S纳米棒的禁带宽度分析 | 第40-42页 |
·实验的反应机理 | 第42-43页 |
·反应机理简述 | 第42页 |
·反应原材料的改变对反应的影响讨论 | 第42-43页 |
·反应温度与时间对反应的影响 | 第43页 |
·结论 | 第43-45页 |
第四章 三元化合物CdSe_xS(1-x)量子点的制备与性能研究 | 第45-55页 |
·引言 | 第45页 |
·样品的制备及反应机理 | 第45-46页 |
·样品的制备 | 第45-46页 |
·样品的洗涤 | 第46页 |
·样品的性能分析 | 第46-53页 |
·样品的XRD表征分析 | 第46-49页 |
·样品的TEM表征分析 | 第49页 |
·样品的荧光光谱(FL)的分析 | 第49-50页 |
·样品的紫外吸收性能分析 | 第50-53页 |
·实验反应机理简述 | 第53-54页 |
·结论 | 第54-55页 |
第五章 Cd_(0.723)Zn_(0.277)S纳米晶的形貌控制及其性质分析 | 第55-64页 |
·引言 | 第55页 |
·样品的制备 | 第55-57页 |
·纳米棒状样品的制备 | 第55-56页 |
·C轴定向生长的纳米棒状样品的制备 | 第56页 |
·刺猬状样品的制备 | 第56页 |
·量子点样品的制备 | 第56-57页 |
·实验结果与讨论 | 第57-62页 |
·XRD表征分析 | 第57-58页 |
·TEM表征分析 | 第58-59页 |
·荧光光谱表征分析 | 第59-60页 |
·紫外吸收光谱表征分析 | 第60-61页 |
·样品的禁带宽度的比较 | 第61-62页 |
·实验机理简述 | 第62-63页 |
·本章小结 | 第63-64页 |
第六章 全文总结与前景展望 | 第64-66页 |
·全文总结 | 第64-65页 |
·前景展望 | 第65-66页 |
参考文献 | 第66-70页 |
硕士期间发表论文情况 | 第70页 |