首页--工业技术论文--一般工业技术论文--工程材料学论文--特种结构材料论文

Ⅱ-Ⅵ族三元非整比化合物纳米晶的可控合成与表征

Abstract第1-7页
摘要第7-13页
第一章 绪论第13-25页
   ·前言第13-15页
   ·非整比纳米化合物第15-19页
     ·非整比化合物发展历史第15-16页
     ·非整比化合物形成机理第16-17页
     ·非整比化合物的类型第17-18页
     ·非整比化合物的应用第18-19页
   ·II-VI三元非整比半导体纳米材料的研究及发展状况第19-23页
     ·II—VI族纳米半导体材料的研究及发展状况第19-20页
     ·II—VI三元非整比半导体纳米材料的研究及发展状况第20页
     ·II—VI三元非整比半导体纳米材料的制备方法第20-23页
   ·课题研究的主要内容及意义第23-25页
第二章 实验原料、设备及表征仪器第25-32页
   ·实验原料第25-26页
     ·金属源第26页
     ·非金属源第26页
     ·溶剂及表面活性剂第26页
     ·洗涤药品第26页
   ·实验仪器第26-27页
   ·实验表征方法和仪器设备第27-30页
     ·X射线衍射分析第27-28页
     ·TEM表征设备第28-30页
     ·光致发光光谱与荧光光谱表征第30页
     ·紫外—可见吸收吸收光谱(UV-vis)第30页
   ·本章小结第30-32页
第三章 三元非整比化合物Cd_xZn_(1-x)S纳米晶的合成与光学性质研究第32-45页
   ·引言第32页
   ·非化学计量比三元化合物 Cd_xZn_(1-x)S的制备第32-33页
   ·实验结果与讨论第33-42页
     ·Cd_xZn_(1-x)S纳米棒的 XRD表征分析第33-36页
     ·Cd_xZn_(1-x)S纳米棒的 TEM表征分析第36页
     ·Cd_xZn_(1-x)S纳米棒的光致发光(PL)性能的分析第36-39页
     ·Cd_xZn_(1-x)S纳米棒的紫外吸收(UV-vis)性能分析第39-40页
     ·Cd_xZn_(1-x)S纳米棒的禁带宽度分析第40-42页
   ·实验的反应机理第42-43页
     ·反应机理简述第42页
     ·反应原材料的改变对反应的影响讨论第42-43页
     ·反应温度与时间对反应的影响第43页
   ·结论第43-45页
第四章 三元化合物CdSe_xS(1-x)量子点的制备与性能研究第45-55页
   ·引言第45页
   ·样品的制备及反应机理第45-46页
     ·样品的制备第45-46页
     ·样品的洗涤第46页
   ·样品的性能分析第46-53页
     ·样品的XRD表征分析第46-49页
     ·样品的TEM表征分析第49页
     ·样品的荧光光谱(FL)的分析第49-50页
     ·样品的紫外吸收性能分析第50-53页
   ·实验反应机理简述第53-54页
   ·结论第54-55页
第五章 Cd_(0.723)Zn_(0.277)S纳米晶的形貌控制及其性质分析第55-64页
   ·引言第55页
   ·样品的制备第55-57页
     ·纳米棒状样品的制备第55-56页
     ·C轴定向生长的纳米棒状样品的制备第56页
     ·刺猬状样品的制备第56页
     ·量子点样品的制备第56-57页
   ·实验结果与讨论第57-62页
     ·XRD表征分析第57-58页
     ·TEM表征分析第58-59页
     ·荧光光谱表征分析第59-60页
     ·紫外吸收光谱表征分析第60-61页
     ·样品的禁带宽度的比较第61-62页
   ·实验机理简述第62-63页
   ·本章小结第63-64页
第六章 全文总结与前景展望第64-66页
   ·全文总结第64-65页
   ·前景展望第65-66页
参考文献第66-70页
硕士期间发表论文情况第70页

论文共70页,点击 下载论文
上一篇:中央银行独立性问题研究
下一篇:中国海外投资税收激励制度研究