| 内容提要 | 第1-8页 |
| 第1章 绪论 | 第8-44页 |
| ·引言 | 第8-9页 |
| ·边缘构筑技术的研究概述 | 第9-26页 |
| ·纳米切片技术 | 第9-11页 |
| ·近场相转移边缘光刻技术 | 第11-13页 |
| ·边缘热压印技术 | 第13-15页 |
| ·晶格诱导边缘技术 | 第15-16页 |
| ·形貌诱导边缘刻蚀技术 | 第16-20页 |
| ·气相沉积辅助的边缘刻蚀技术 | 第16-18页 |
| ·电沉积辅助的边缘刻蚀技术 | 第18-20页 |
| ·边缘纳米转移技术 | 第20-23页 |
| ·溶剂挥发边缘自组装技术 | 第23-26页 |
| ·微孔道边缘毛细技术 | 第24-25页 |
| ·非接触边缘润湿技术 | 第25-26页 |
| ·本文的研究思路和主要研究内容 | 第26-58页 |
| 参考文献 | 第58-44页 |
| 第2章 基于溶剂辅助压印技术制备二氧化钛纳米结构 | 第44-64页 |
| ·引言 | 第44-45页 |
| ·实验部分 | 第45-46页 |
| ·试剂 | 第45页 |
| ·仪器 | 第45-46页 |
| ·结果与讨论 | 第46-56页 |
| ·二氧化钛溶胶的合成 | 第46-47页 |
| ·光刻结构的制备 | 第47-48页 |
| ·利用软印刷术中的边缘现象制备高分辨的二氧化钛图案 | 第48-54页 |
| ·高分辨率二氧化钛环的制备过程 | 第48-49页 |
| ·溶剂挥发时间的图案分辨率的影响 | 第49-51页 |
| ·二氧化钛溶胶浓度的影响 | 第51-53页 |
| ·温度的影响 | 第53页 |
| ·压力的影响 | 第53-54页 |
| ·机理解释 | 第54-55页 |
| ·其他图案的制备 | 第55-56页 |
| ·本章小结 | 第56-58页 |
| 参考文献 | 第58-64页 |
| 第3章 基于边缘压印技术制备高分辨率多级复合结构 | 第64-84页 |
| ·引言 | 第64-65页 |
| ·试验部分 | 第65-66页 |
| ·试剂 | 第65页 |
| ·仪器 | 第65-66页 |
| ·硅模板的表面处理 | 第66页 |
| ·结果与讨论 | 第66-77页 |
| ·模板的制备 | 第66-67页 |
| ·PMMA 多尺寸层级复合图案的制备 | 第67-69页 |
| ·第二次压印压力对形貌的影响 | 第69-70页 |
| ·第二次压印温度对形貌的影响 | 第70-74页 |
| ·第二次压印时间对形貌的影响 | 第74-76页 |
| ·其他形貌的层级复合结构的构筑 | 第76-77页 |
| ·本章小结 | 第77-78页 |
| 参考文献 | 第78-84页 |
| 第4章 导电高分子纳米结构的制备及其传感性能研究 | 第84-104页 |
| ·引言 | 第84-85页 |
| ·实验部分 | 第85-87页 |
| ·试剂 | 第85-86页 |
| ·仪器 | 第86页 |
| ·硅模板的修饰处理 | 第86-87页 |
| ·聚吡咯的制备 | 第87页 |
| ·结果与讨论 | 第87-95页 |
| ·高分辨率模板的制备 | 第87-90页 |
| ·高分辨率导电聚合物纳米条带的制备 | 第90-95页 |
| ·提高聚吡咯导电高分子表面粘附力的方法的研究 | 第90-91页 |
| ·聚吡咯导薄膜厚度与导电率的关系 | 第91-92页 |
| ·高分辨率导电聚合物纳米条带的制备 | 第92-93页 |
| ·高分辨率导电聚合物条带在气体传感器中的应用 | 第93-95页 |
| ·本章小结 | 第95-97页 |
| 参考文献 | 第97-104页 |
| 攻读博士学位期间所发表的论文 | 第104-106页 |
| 作者简历 | 第106-108页 |
| 致谢 | 第108-109页 |
| 摘要 | 第109-111页 |
| Abstract | 第111-113页 |