| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-7页 |
| 本文的创新点及主要贡献 | 第7-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-29页 |
| ·C/C复合材料的发展 | 第11-13页 |
| ·C/C复合材料的特点 | 第13页 |
| ·C/C复合材料的应用 | 第13-14页 |
| ·C/C复合材料的氧化过程及特点 | 第14-16页 |
| ·C/C复合材料的氧化防护原理及方法 | 第16-22页 |
| ·基体改性技术 | 第16-17页 |
| ·表面涂层技术 | 第17-22页 |
| ·防氧化涂层的基本要求 | 第17-19页 |
| ·防氧化涂层的结构 | 第19-20页 |
| ·C/C复合材料防氧化涂层的制备方法 | 第20-22页 |
| ·化学气相沉积法(CVD) | 第22-27页 |
| ·化学气相沉积理论基础 | 第22-24页 |
| ·化学气相沉积所依据的反应类型 | 第22-23页 |
| ·化学气相沉积反应热力学 | 第23-24页 |
| ·化学气相沉积反应动力学及速率控制因素 | 第24页 |
| ·影响 CVD沉积涂层质量的因素 | 第24-26页 |
| ·CVD法制备 C/C复合材料防氧化涂层 | 第26-27页 |
| ·CVD法制备SiC防氧化涂层 | 第26页 |
| ·CVD法制备MoSi_2防氧化涂层 | 第26-27页 |
| ·本文研究的目的和意义 | 第27页 |
| ·本文的主要研究内容 | 第27-29页 |
| 第二章 实验方法 | 第29-35页 |
| ·引言 | 第29页 |
| ·实验所用的反应物 | 第29-31页 |
| ·制备SiC涂层的先驱气源 | 第29-30页 |
| ·CVD实验中其它气体 | 第30-31页 |
| ·其它原材料 | 第31页 |
| ·实验设备 | 第31-33页 |
| ·实验方法 | 第33页 |
| ·CVD法制备SiC涂层 | 第33页 |
| ·包埋法制备SiC涂层 | 第33页 |
| ·制备MoSi_2/SiC双相涂层 | 第33页 |
| ·涂层的表征 | 第33-34页 |
| ·本章小结 | 第34-35页 |
| 第三章 CVD-SiC微观形貌 | 第35-45页 |
| ·引言 | 第35页 |
| ·Ar流量对反应室内温度场、流场的影响 | 第35-37页 |
| ·反应室内浓度的分布 | 第37-38页 |
| ·实验 | 第38-39页 |
| ·沉积位置对CVD-SiC形貌的影响 | 第39-44页 |
| ·实验一(Q_(Ar)=0ml/min)制备SiC涂层生长形貌观察 | 第40-41页 |
| ·实验二(Q_(Ar)=50ml/min)制备SiC涂层生长形貌观察 | 第41-42页 |
| ·实验三(Q_(Ar)=150ml/min)制备SiC涂层生长形貌观察 | 第42-43页 |
| ·Ar流量对SiC涂层生长形貌的影响 | 第43-44页 |
| ·本章小结 | 第44-45页 |
| 第四章 二步法制备C/C复合材料SiC涂层 | 第45-53页 |
| ·引言 | 第45页 |
| ·实验 | 第45-46页 |
| ·涂层的微观结构 | 第46-49页 |
| ·涂层的防氧化性能和氧化机理 | 第49-52页 |
| ·本章小结 | 第52-53页 |
| 第五章 化学气相法制备MoSi_2/SiC涂层 | 第53-66页 |
| ·引言 | 第53-54页 |
| ·实验 | 第54-55页 |
| ·涂层的微观结构 | 第55-56页 |
| ·涂层的防氧化性能与氧化机理 | 第56-59页 |
| ·工艺优化制备MoSi_2/SiC双相涂层 | 第59-64页 |
| ·工艺优化制备涂层的微观结构 | 第59-61页 |
| ·工艺优化方案一制备涂层的微观结构 | 第59-60页 |
| ·工艺优化方案二制备涂层的微观结构 | 第60-61页 |
| ·工艺优化制备涂层的防氧化性能与氧化机理 | 第61-63页 |
| ·双相涂层试样氧化后表面晶相分析 | 第63-64页 |
| ·本章小结 | 第64-66页 |
| 结论 | 第66-68页 |
| 参考文献 | 第68-73页 |
| 攻读硕士期间发表的学术论文 | 第73-74页 |
| 致谢 | 第74-75页 |
