| 中文摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-7页 |
| 目录 | 第7-10页 |
| 第一章 原子尺度上理解表面的外延生长 | 第10-24页 |
| ·表面的基本概念和性质 | 第11-13页 |
| ·表面的原子结构和电子结构 | 第11-12页 |
| ·表面能和表面应力 | 第12-13页 |
| ·表面外延生长中的几个基本问题 | 第13-20页 |
| ·基本生长模式 | 第13-14页 |
| ·原子在表面的扩散 | 第14-18页 |
| ·应变对表面扩散的影响 | 第18-20页 |
| 参考文献 | 第20-24页 |
| 第二章 金属薄膜中的量子尺寸效应 | 第24-42页 |
| ·理想的一维量子阱束缚态 | 第25-26页 |
| ·金属超薄膜量子阱 | 第26-32页 |
| ·近自由电子两带模型 | 第27-29页 |
| ·相位积累模型(Bohr-Sommerfeld量子化条件) | 第29-31页 |
| ·Fabry-Pérot电子干涉模型 | 第31-32页 |
| ·量子尺寸效应的物理特征 | 第32-34页 |
| ·金属薄膜的量子生长 | 第34-38页 |
| 参考文献 | 第38-42页 |
| 第三章 第一性原理计算的理论方法 | 第42-62页 |
| ·密度泛函理论 | 第43-44页 |
| ·局域密度近似和梯度修正近似 | 第44-46页 |
| ·赝势平面波方法和超软赝势 | 第46-49页 |
| ·结构优化方法 | 第49-52页 |
| ·Hellmann-Feynman力 | 第49-50页 |
| ·共轭梯度方法 | 第50-52页 |
| ·自洽计算 | 第52页 |
| ·寻找反应路径的方法 | 第52-56页 |
| 参考文献 | 第56-62页 |
| 第四章 应变对半导体表面吸附与扩散的影响 | 第62-84页 |
| ·硅、锗(001)表面的原子和电子结构 | 第63-66页 |
| ·计算方法和理论模型 | 第66-69页 |
| ·Si、Ge(001)表面原子的吸附与扩散 | 第69-72页 |
| ·外应变下Si、Ge(001)表面原子的吸附与扩散 | 第72-74页 |
| ·外应变下表面吸附和扩散的一般规律 | 第74-79页 |
| ·小结 | 第79-80页 |
| 参考文献 | 第80-84页 |
| 第五章 硅-锗合金薄膜和岛生长中不同成分原子的表面迁移 | 第84-110页 |
| ·Ge/GeSi在Si(001)表面上生长的形貌演变 | 第85-87页 |
| ·计算方法和理论模型 | 第87-91页 |
| ·表面扩散性质的研究 | 第91-96页 |
| ·Ge/Si(001)-2×8表面的扩散性质 | 第91-94页 |
| ·Ge/si(105)-1×2表面的势能面和扩散性质 | 第94-96页 |
| ·Si/Ge表面迁移率的差异对薄膜形貌不稳定性的影响 | 第96-101页 |
| ·表面迁移率比VS.应变 | 第97-100页 |
| ·Ge/Si(001)-2×8和Ge/Si(105)-1×2上表面迁移率比 | 第100-101页 |
| ·小结 | 第101-104页 |
| 参考文献 | 第104-110页 |
| 第六章 Ag/Au量子阱系统的电子结构研究 | 第110-130页 |
| ·Ag/Au量子阱系统的光电子谱研究 | 第111-113页 |
| ·计算方法和理论模型 | 第113-115页 |
| ·量子阱态随薄膜厚度的演变 | 第115-121页 |
| ·Au衬底上的Ag(111)薄膜 | 第115-116页 |
| ·自由的Ag(111)薄膜 | 第116-119页 |
| ·理想一维不对称势阱模型 | 第119-121页 |
| ·(Au+Ag)双层薄膜中的量子阱态 | 第121-124页 |
| ·协同量子阱态的形成 | 第121-123页 |
| ·量子阱态的形成对薄膜化学吸附性质的影响 | 第123-124页 |
| ·小结 | 第124-126页 |
| 参考文献 | 第126-130页 |
| 第七章 结语 | 第130-134页 |
| 致谢 | 第134-136页 |
| 博士期间的论文及会议报告 | 第136-138页 |
