| 摘 要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-8页 |
| 第一章 引言 | 第8-15页 |
| ·平板显示技术简介 | 第8-10页 |
| ·薄膜晶体管有源驱动技术 | 第10-12页 |
| ·薄膜晶体管寻址液晶显示器的发展动态 | 第12-13页 |
| ·自对准工艺在制备多晶硅 TFT 中的应用 | 第13页 |
| ·本论文研究的主要内容 | 第13-15页 |
| 第二章 TFT 的结构、工作原理 | 第15-21页 |
| ·TFT 的结构 | 第15-18页 |
| ·TFT 的工作原理 | 第18-21页 |
| 第三章 自对准工艺与其实现方法 | 第21-31页 |
| ·串扰电容的产生 | 第21-27页 |
| ·自对准工艺 | 第27-31页 |
| 第四章 氮化硅的制备以及性能的测试 | 第31-37页 |
| ·PECVD 设备及操作方法 | 第31-33页 |
| ·氮化硅的制备 | 第33-34页 |
| ·氮化硅薄膜的性能测试 | 第34-37页 |
| ·氮化硅薄膜电阻率及击穿场强的测量 | 第34-35页 |
| ·C-V 测试 | 第35-37页 |
| 第五章 多晶硅的制备以及性能的测试 | 第37-45页 |
| ·非晶硅的制备 | 第37-38页 |
| ·各种晶化机理的阐述 | 第38-42页 |
| ·快速热退火法（Remote Thermal Annealing，RTA） | 第38-39页 |
| ·准分子激光退火法（Excimer Laser Annealing，ELA） | 第39-40页 |
| ·固相晶化(solid phase crystallization, SPC) | 第40页 |
| ·金属诱导横向晶化法（Metal Induced lateral Crystallization，M | 第40-42页 |
| ·金属诱导横向晶化（MILC）非晶硅薄膜的制备 | 第42-45页 |
| ·诱导金属镍 Ni 薄膜的制备 | 第42-43页 |
| ·a-Si:H 薄膜的退火处理 | 第43-45页 |
| 第六章 多晶硅 TFT 制备工艺研究 | 第45-66页 |
| ·MILC 中镍金属分布以及硅岛位置的选择 | 第45页 |
| ·制备多晶硅TFT 时进行自对准背曝光时曝光量的研究 | 第45-47页 |
| ·制备多晶硅 TFT 方案的选取 | 第47-52页 |
| ·样品的清洗 | 第52-54页 |
| ·刻蚀方法的选择 | 第54页 |
| ·NI 诱导金属的去除 | 第54-55页 |
| ·TFT 中金属电极的选择和刻蚀 | 第55-56页 |
| ·等离子体刻蚀和湿法刻蚀的研究 | 第56-57页 |
| ·光刻的研究以及光刻胶的选择 | 第57-59页 |
| ·利用自对准工艺制备多晶硅 TFT | 第59-61页 |
| ·多晶硅 TFT 性能的测试 | 第61-64页 |
| ·栅极和源极电容的测试 | 第61-63页 |
| ·多晶硅TFT 开关比的测试 | 第63-64页 |
| ·实验结果分析 | 第64-66页 |
| 第七章 结论 | 第66-67页 |
| 致谢 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-70页 |
| 作者介绍 | 第70页 |
| 作者攻硕期间取得的研究成果 | 第70页 |
