| 中文摘要 | 第1-3页 |
| ABSTRACT | 第3-7页 |
| 前言 | 第7-8页 |
| 第一章 文献综述 | 第8-29页 |
| ·纳米半导体薄膜材料制备方法 | 第8-12页 |
| ·真空蒸发沉积 | 第9页 |
| ·溅射沉积 | 第9页 |
| ·化学气相沉积 | 第9-10页 |
| ·外延沉积 | 第10-11页 |
| ·激光沉积 | 第11页 |
| ·自组装与分子组装 | 第11-12页 |
| ·成核理论 | 第12-20页 |
| ·均相成核 | 第14-16页 |
| ·异相成核 | 第16-18页 |
| ·均相成核与异相成核的成核势垒的关系 | 第18-20页 |
| ·气敏元件传感器 | 第20-22页 |
| ·氧化物半导体气敏传感器工作机理 | 第21页 |
| ·主要气敏薄膜制备技术 | 第21-22页 |
| ·纳米晶二氧化钛 | 第22-28页 |
| ·纳米晶二氧化钛制备方法 | 第22-25页 |
| ·纳米晶二氧化钛的应用 | 第25-28页 |
| ·论文工作的提出 | 第28-29页 |
| 第二章 实验步骤及表征方法 | 第29-34页 |
| ·实验器材 | 第29-31页 |
| ·实验基片 | 第29页 |
| ·实验药品和试剂 | 第29-30页 |
| ·实验设备和表征设备 | 第30-31页 |
| ·实验流程 | 第31-32页 |
| ·基片的预处理 | 第31页 |
| ·MPS 膜层的组装 | 第31-32页 |
| ·膜层端基功能团的原位氧化 | 第32页 |
| ·二氧化钛薄膜的沉积 | 第32页 |
| ·预备实验 | 第32页 |
| ·沉积实验 | 第32页 |
| ·二氧化锡薄膜的沉积 | 第32-33页 |
| ·氧化银薄膜的沉积 | 第33页 |
| ·电极的制备 | 第33页 |
| ·样品的表征 | 第33-34页 |
| 第三章 自组装功能膜诱导TiO_2薄膜的液相沉积 | 第34-48页 |
| ·自组装膜表征及分析 | 第34页 |
| ·表面接触角分析 | 第34-35页 |
| ·前驱体溶液的选择 | 第35-37页 |
| ·前驱体溶液水解机理 | 第35页 |
| ·前驱体溶液析晶情况的考察 | 第35-37页 |
| ·TiO_2沉积膜的化学组成、结构和生长特性 | 第37-42页 |
| ·TiO_2沉积膜的相结构分析 | 第37-42页 |
| ·TiO_2沉积膜的表面附着力 | 第42页 |
| ·功能化基底对薄膜沉积的作用 | 第42-44页 |
| ·TiO_2沉积膜的亲水性及透光率 | 第44-46页 |
| ·TiO_2沉积膜的亲水性 | 第44-45页 |
| ·TiO_2沉积膜的透光率 | 第45-46页 |
| ·本章小结 | 第46-48页 |
| 第四章 自组装功能膜诱导沉积SnO_2、TiO_2薄膜的成核理论 | 第48-59页 |
| ·经典成核理论 | 第48-49页 |
| ·由膜厚计算诱导时间 | 第49-54页 |
| ·计算SnO_2的前驱体溶液成核的诱导时间 | 第50-52页 |
| ·计算TiO_2的前驱体溶液成核的诱导时间 | 第52-54页 |
| ·由诱导时间求表面张力 | 第54-55页 |
| ·生长单元体积Ω的计算 | 第55页 |
| ·界面自由能的计算 | 第55-56页 |
| ·计算均相成核自由能 | 第56-57页 |
| ·异相成核与均相成核的关系 | 第57-58页 |
| ·本章小结 | 第58-59页 |
| 第五章 Ag_2O薄膜的半导体性能研究 | 第59-74页 |
| ·Ag_2O 沉积膜的结构 | 第59-65页 |
| ·Ag_2O薄膜的晶型分析（XRD） | 第59页 |
| ·Ag_2O沉积膜立体结构分析（AFM） | 第59-60页 |
| ·功能膜对Ag_2O薄膜沉积的影响 | 第60-63页 |
| ·沉积时间对Ag_2O薄膜表面形貌的影响 | 第63-65页 |
| ·纳米Ag_2O沉积膜半导体性能的表征 | 第65-71页 |
| ·薄膜的半导体性能测试方法 | 第65-66页 |
| ·电学性能测试 | 第66-67页 |
| ·沉积膜气敏特性测试 | 第67-71页 |
| ·功能膜对Ag_2O薄膜气敏性能的影响 | 第71-73页 |
| ·本章小结 | 第73-74页 |
| 第六章 结论 | 第74-75页 |
| 参考文献 | 第75-80页 |
| 发表论文和科研情况说明 | 第80-81页 |
| 致谢 | 第81页 |