高性能CMOS压控振荡器的设计
第一章 前言 | 第1-15页 |
§1.1 CMOS集成电路的发展 | 第9-10页 |
§1.2 锁相环和收发机 | 第10-12页 |
§1.3 VCO的研究状况 | 第12-14页 |
§1.3.1 VCO的历史 | 第12-13页 |
§1.3.2 VCO设计的难点 | 第13-14页 |
§1.4 个人所作的工作 | 第14-15页 |
第二章 振荡器的基本原理 | 第15-26页 |
§2.1 振荡器概述 | 第15页 |
§2.2 反馈理论 | 第15-18页 |
§2.2.1 巴克豪森准则 | 第15-17页 |
§2.2.2 平衡条件 | 第17页 |
§2.2.3 稳定条件 | 第17-18页 |
§2.3 负阻理论 | 第18-22页 |
§2.3.1 起振条件 | 第19页 |
§2.3.2 平衡条件 | 第19-20页 |
§2.3.3 稳定条件 | 第20-22页 |
§2.4 常见的振荡器 | 第22-26页 |
§2.4.1 环形振荡器 | 第22-23页 |
§2.4.2 LC振荡器 | 第23-26页 |
第三章 压控振荡器的实现 | 第26-37页 |
§3.1 环形压控振荡器 | 第26-27页 |
§3.2 LC压控振荡器 | 第27-37页 |
§3.2.1 CMOS变容管的实现 | 第28-31页 |
§3.2.2 CMOS工艺中的电感 | 第31-37页 |
第四章 压控振荡器的相位噪声 | 第37-49页 |
§4.1 振荡器噪声来源 | 第37-39页 |
§4.1.1 热噪声 | 第37-38页 |
§4.1.2 闪烁噪声 | 第38-39页 |
§4.2 相位噪声的定义 | 第39-40页 |
§4.3 谐振腔的Q值 | 第40-41页 |
§4.4 相位噪声的理论模型 | 第41-49页 |
§4.4.1 非时变模型 | 第41-43页 |
§4.4.2 时变模型 | 第43-49页 |
第五章 LC压控振荡器的设计与分析 | 第49-59页 |
§5.1 所用的工具软件和库 | 第49页 |
§5.2 VCO电路的要求 | 第49-50页 |
§5.3 变容管与电感的选择 | 第50-52页 |
§5.4 电路结构的选择 | 第52-54页 |
§5.5 跨导的考虑 | 第54-55页 |
§5.6 振幅考虑 | 第55-57页 |
§5.7 外围电路 | 第57-59页 |
第六章 仿真结果和比较 | 第59-64页 |
§6.1 电路模拟的结果 | 第59-62页 |
§6.1.1 瞬态分析 | 第59-60页 |
§6.1.2 相位噪声分析 | 第60-61页 |
§6.1.3 调节范围 | 第61-62页 |
§6.2 VCO的性能总结 | 第62-64页 |
第七章 结论 | 第64-66页 |
§7.1 结论 | 第64页 |
§7.2 有待研究的问题 | 第64-66页 |
参考文献 | 第66-71页 |
致谢 | 第71-72页 |
附录: | 第72-76页 |
A 电路网表 | 第72页 |
B 输入网表 | 第72-76页 |
攻读学位期间发表的学术论文目录 | 第76页 |