| 第一章 引言 | 第1-10页 |
| 第二章 文献综述 | 第10-26页 |
| 2．1 半导体激光器的发展简史 | 第10-14页 |
| 2．2 光纤拉曼放大器和14xxnm泵浦激光器 | 第14-17页 |
| 2．3 14xxnm多量子阱激光器的制作 | 第17-19页 |
| 2．3．1 InAsP／InGaAsP材料体系 | 第17-18页 |
| 2．3．2 半导体激光器管芯制造工艺 | 第18-19页 |
| 2．4 等离子刻蚀技术 | 第19-24页 |
| 2．4．1 反应离子刻蚀 | 第19-21页 |
| 2．4．2 高密度等离子体刻蚀 | 第21-23页 |
| 2．4．3 干法刻蚀设备发展方向 | 第23-24页 |
| 2．5 InP的干法刻蚀工艺 | 第24-25页 |
| 2．6 本章小结 | 第25-26页 |
| 第三章 Cl_2／Ar感应耦合等离子体刻蚀InP工艺研究 | 第26-43页 |
| 3．1 Cl_2／Ar刻蚀InP的机理分析 | 第26-29页 |
| 3．1．1 选择Cl_2／Ar为刻蚀气体 | 第26-27页 |
| 3．1．2 Cl_2／Ar等离子体刻蚀InP机理分析 | 第27-29页 |
| 3．2 感应耦合等离子体(ICP)刻蚀设备 | 第29-32页 |
| 3．3 刻蚀掩膜的选择 | 第32-33页 |
| 3．4 Cl_2／Ar感应耦合等离子体刻蚀InP特性研究 | 第33-42页 |
| 3．4．1 刻蚀速率 | 第33-36页 |
| 3．4．2 刻蚀表面状况 | 第36-39页 |
| 3．4．3 刻蚀选择比 | 第39-41页 |
| 3．4．4 刻蚀剖面 | 第41-42页 |
| 3．5 本章小结和结论 | 第42-43页 |
| 第四章 InP材料干法刻蚀损伤的初步研究 | 第43-48页 |
| 4．1 干法刻蚀诱导损伤简介 | 第43-44页 |
| 4．2 刻蚀损伤的探测方法 | 第44页 |
| 4．3 测量结果和分析 | 第44-47页 |
| 4．3．1 ECV测试 | 第44-47页 |
| 4．3．2 低温荧光(PL)测试 | 第47页 |
| 4．4 本章小结 | 第47-48页 |
| 第五章 14xxnm脊波导激光器工艺 | 第48-56页 |
| 5．1 14xxnm泵浦激光器脊波导结构的设计 | 第48-49页 |
| 5．2 激光器器件工艺流程 | 第49-55页 |
| 5．3 本章小结 | 第55-56页 |
| 第六章 14xxnm脊波导激光器测试 | 第56-61页 |
| 6．1 激光器性能表征系统 | 第56-57页 |
| 6．2 激光器性能测试结果 | 第57-60页 |
| 6．3 本章小结 | 第60-61页 |
| 第七章 结论 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-66页 |
| 发表文章目录 | 第66页 |
| 作者简历 | 第66-67页 |
| 致谢 | 第67-68页 |
| 附件 | 第68页 |
