| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 插图索引 | 第8-9页 |
| 附表索引 | 第9-10页 |
| 第1章 绪论 | 第10-21页 |
| ·高温超导材料概述#l | 第10-15页 |
| ·高温超导材料的发现 | 第10页 |
| ·高温超导材料的结构 | 第10-11页 |
| ·典型铜氧化物超导体YBa_2Cu_3O_7 | 第11-12页 |
| ·高温超导体的夹层模型 | 第12-13页 |
| ·高温超导体的结构共性 | 第13页 |
| ·高温超导体的元素替代效应 | 第13-14页 |
| ·超导理论机制 | 第14-15页 |
| ·超晶格材料简介 | 第15-20页 |
| ·超晶格的发现 | 第15-16页 |
| ·超晶格材料的分离 | 第16-18页 |
| ·超晶格材料的生长技术 | 第18-19页 |
| ·超晶格材料的应用及前景 | 第19-20页 |
| ·本文的研究的主要内容及其意义 | 第20-21页 |
| 第2章 recursion方法与哈密顿量的确定 | 第21-28页 |
| ·recursion方法 | 第21-23页 |
| ·本文所计算的一些主要物理量 | 第23-25页 |
| ·态密度n(E) | 第23-24页 |
| ·费米能E_F及费米面处的态密度N(E_F) | 第24页 |
| ·各分波轨道上的电子占据数n_e与原子价V_a | 第24页 |
| ·结构能E_s | 第24-25页 |
| ·哈密顿量的确定 | 第25-28页 |
| 第3章 卤素掺杂对YBaCuO电子结构的影响 | 第28-39页 |
| ·引言 | 第28-29页 |
| ·模型 | 第29-30页 |
| ·卤素掺杂对YBaCuO电子结构的影响 | 第30-36页 |
| ·F的不同替代位置对YBaCuO电子结构的影响 | 第30-35页 |
| ·不同替代元素对YBaCuO电子结构的影响 | 第35-36页 |
| ·讨论 | 第36-38页 |
| ·本章小结 | 第38-39页 |
| 第4章 应变超晶格电子结构的研究 | 第39-58页 |
| ·前言 | 第39页 |
| ·超晶格的结构及计算模型 | 第39-41页 |
| ·几种体材料的电子结构 | 第41-44页 |
| ·GaN体材料的电子结构 | 第41-42页 |
| ·闪锌矿AlN的电子结构 | 第42-43页 |
| ·闪锌矿GaAs的电子结构 | 第43页 |
| ·半导体Si的电子结构 | 第43-44页 |
| ·GaN／AlN应变超晶格的电子结构 | 第44-57页 |
| ·GaN／AlN应变超晶格的电子结构 | 第44-47页 |
| ·空位对超晶格电子结构的影响 | 第47-49页 |
| ·掺杂对GaN／AlN应变超晶格的电子结构的影响 | 第49-50页 |
| ·层数n对(GaN)_n／(AlN)_n应变超晶格的电子结构的影响 | 第50-52页 |
| ·(GaN)_1／(AlN)_1应变超晶格表面态的电子结构 | 第52-57页 |
| ·结论 | 第57-58页 |
| 结论 | 第58-60页 |
| 参考文献 | 第60-65页 |
| 致谢 | 第65-66页 |
| 附录A(攻读学位期间所发表的学术论文目录) | 第66页 |