碲锌镉探测器的制备及性能研究
| 摘要 | 第1-3页 |
| Abstract | 第3-8页 |
| 一、 绪论 | 第8-31页 |
| ·半导体核辐射探测器的发展状况 | 第8-13页 |
| ·半导体核辐射探测器的发展 | 第8-9页 |
| ·GaAs核辐射探测器 | 第9页 |
| ·CdTe核辐射探测器 | 第9-10页 |
| ·HgI_2核辐射探测器 | 第10-11页 |
| ·Cd_(1-x)Zn_xTe(CZT)探测器 | 第11页 |
| ·其它室温半导体核辐射探测器材料 | 第11页 |
| ·几种常用的室温核辐射探测器材料的性能参数 | 第11-13页 |
| ·CdTe、CdZnTe半导体核辐射探测器 | 第13-15页 |
| ·半导体探测器的工作原理 | 第15-20页 |
| ·探测器原理 | 第15-18页 |
| ·半导体探测器的类型 | 第18-20页 |
| ·半导体探测器的主要参数 | 第20-29页 |
| ·能量分辨率 | 第20-24页 |
| ·探测器中的电荷输运 | 第24-26页 |
| ·陷阱效应 | 第26-29页 |
| ·选题思路和研究内容 | 第29-31页 |
| 二、 晶体生长 | 第31-34页 |
| ·CZT材料介绍 | 第31-32页 |
| ·晶体生长实验 | 第32-34页 |
| 三、 CdZnTe探测器的制备 | 第34-44页 |
| ·材料选取 | 第34页 |
| ·晶片加工 | 第34-37页 |
| ·物理切割法 | 第34-35页 |
| ·研磨 | 第35页 |
| ·机械抛光 | 第35页 |
| ·腐蚀 | 第35-37页 |
| ·电极制作 | 第37-41页 |
| ·钝化 | 第41-42页 |
| ·密封保护 | 第42页 |
| ·固定安装 | 第42-44页 |
| 四、 CZT探测器的性能研究结果与讨论 | 第44-56页 |
| ·I-V特性 | 第44-51页 |
| ·接触特性 | 第46页 |
| ·I-T曲线与激活能 | 第46-47页 |
| ·注入与SCLC电流 | 第47-50页 |
| ·I-T关系与脱陷作用 | 第50页 |
| ·稳恒光电导 | 第50-51页 |
| ·电容特性 | 第51-55页 |
| ·电容测试 | 第51-52页 |
| ·C-V特性 | 第52-55页 |
| ·吸收谱测量及分析 | 第55-56页 |
| 五、 总结 | 第56-57页 |
| ·结论 | 第56页 |
| ·存在问题 | 第56页 |
| ·展望 | 第56-57页 |
| 致谢 | 第57-58页 |
| 参考文献: | 第58-59页 |
