| 中文摘要 | 第1-4页 |
| 英文摘要 | 第4-8页 |
| 第一章 引言 | 第8-10页 |
| 第二章 硅基发光材料研究进展 | 第10-24页 |
| 2．1 发光多孔硅 | 第10-14页 |
| 2．1．1 多孔硅制备方法与结构 | 第10-11页 |
| 2．1．2 多孔硅发光机理 | 第11-14页 |
| 2．2 纳米硅 | 第14-16页 |
| 2．2．1 纳米硅制备方法 | 第15-16页 |
| 2．2．2 纳米硅发光机理 | 第16页 |
| 2．3 Si／SiO_2超晶格 | 第16-17页 |
| 2．4 掺铒硅发光材料 | 第17-19页 |
| 2．4．1 掺铒硅材料发光特点及制备方法 | 第17-18页 |
| 2．4．2 掺铒硅基材料发光机制 | 第18-19页 |
| 2．5 纳米自组装体系 | 第19-20页 |
| 2．6 硅-氧及其它杂质体系发光研究 | 第20-22页 |
| 2．7 研究进展小结 | 第22-23页 |
| 2．8 本课题的基本思想 | 第23-24页 |
| 第三章 PECVD法薄膜制备及其发光特性 | 第24-38页 |
| 3．1 PECVD成膜基础 | 第24-26页 |
| 3．1．1 CVD法概述和PECVD法特点 | 第24-25页 |
| 3．1．2 本实验中主要的等离子体反应过程 | 第25-26页 |
| 3．2 样品的制备 | 第26-28页 |
| 3．2．1 实验系统 | 第26-27页 |
| 3．2．2 基片的预处理 | 第27页 |
| 3．2．3 实验工艺参数的设置 | 第27-28页 |
| 3．3 薄膜成分和结构分析 | 第28-30页 |
| 3．4 薄膜的荧光特性 | 第30-34页 |
| 3．4．1 氧含量对薄膜荧光特性的影响 | 第30-31页 |
| 3．4．2 等离子体氧化对薄膜荧光特性的影响 | 第31-32页 |
| 3．4．3 沉积过程中NH_3流量对薄膜荧光谱的影响 | 第32-33页 |
| 3．4．4 沉积过程中H_2流量对薄膜荧光谱的影响 | 第33-34页 |
| 3．5 荧光机制讨论 | 第34-37页 |
| 3．6 小结 | 第37-38页 |
| 第四章 溅射法薄膜制备及其发光特性 | 第38-47页 |
| 4．1 溅射成膜基础 | 第38-39页 |
| 4．1．1 溅射机制 | 第38-39页 |
| 4．1．2 射频溅射与反应溅射 | 第39页 |
| 4．2 样品的制备 | 第39-40页 |
| 4．2．1 薄膜沉积系统 | 第39-40页 |
| 4．2．2 样品制备条件 | 第40页 |
| 4．3 实验结果 | 第40-44页 |
| 4．3．1 薄膜的成分和结构 | 第40-41页 |
| 4．3．2 氧含量对薄膜荧光谱的影响 | 第41-42页 |
| 4．3．3 氮掺杂对薄膜荧光谱的影响 | 第42-43页 |
| 4．3．4 沉积时基片温度对荧光谱的影响 | 第43-44页 |
| 4．4 荧光机制讨论 | 第44-45页 |
| 4．5 小结 | 第45-47页 |
| 第五章 球磨及溶胶-凝胶法制备Si/SiO_2复合薄膜 | 第47-56页 |
| 5．1 实验原理及方法 | 第47-49页 |
| 5．1．1 机械球磨法原理与方法 | 第47-48页 |
| 5．1．2 溶胶-凝胶法制备镶嵌结构薄膜方法 | 第48-49页 |
| 5．2 实验结果与分析 | 第49-54页 |
| 5．2．1 球磨粉体结果表征 | 第49-52页 |
| 5．2．2 粉体的荧光光谱 | 第52-53页 |
| 5．2．3 Si／SiO_2复合薄膜的荧光特性 | 第53-54页 |
| 5．3 小结 | 第54-56页 |
| 第六章 讨论与总结 | 第56-60页 |
| 6．1 荧光现象 | 第56-57页 |
| 6．2 荧光影响因素 | 第57页 |
| 6．3 发光机制比较 | 第57-58页 |
| 6．4 结论 | 第58-60页 |
| 参考文献 | 第60-63页 |
| 致谢 | 第63-64页 |
| 附： 发表论文 | 第64页 |
