| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 第一章 引言 | 第8-19页 |
| ·等离子体理论概述 | 第8-11页 |
| ·离子注入技术 | 第11-17页 |
| ·一般束线离子注入技术 | 第12-14页 |
| ·等离子体源离子注入技术简介 | 第14-16页 |
| ·国内外等离子体源离子注入技术的发展与应用 | 第16-17页 |
| ·本文完成工作简介 | 第17-19页 |
| 第二章 等离子体源离子注入过程中鞘层演化 | 第19-29页 |
| ·PSII 鞘层时空演化的物理描述 | 第19页 |
| ·等离子体源离子注入过程中鞘层演化的研究方法 | 第19-25页 |
| ·解析法 | 第20-21页 |
| ·流体动力学方法 | 第21-22页 |
| ·Monte Carlo 方法 | 第22-23页 |
| ·PIC 方法 | 第23-25页 |
| ·PSII 过程中的流体动力学求解方法 | 第25-29页 |
| 第三章 半圆形容器等离子体源离子注入鞘层的数值模拟 | 第29-40页 |
| ·等离子体鞘层的计算机模拟 | 第29-31页 |
| ·球心处无附加电极时的数值模拟结果 | 第31-35页 |
| ·球心处有附加电极时的数值模拟结果 | 第35-38页 |
| ·小结 | 第38-40页 |
| 第四章 半圆形容器参量变化时的数值模拟 | 第40-48页 |
| ·附加电极半径对半圆形容器端点附近注入剂量的影响 | 第40-43页 |
| ·半圆形容器壁厚对其端点附近离子注入剂量的影响 | 第43-48页 |
| 第五章 结论 | 第48-50页 |
| 参考文献 | 第50-57页 |
| 致谢 | 第57页 |