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(100)、(110)硅片湿法各向异性腐蚀特性研究

中文摘要第1-5页
Abstract第5-6页
目录第6-8页
第1章 绪论第8-16页
   ·MEMS简介第8-10页
     ·MEMS的概念和基本特征第8-9页
     ·MEMS的研究和应用领域第9-10页
   ·微结构加工技术第10-14页
     ·MEMS的表面加工技术第10-11页
     ·MEMS的体硅加工技术第11-13页
     ·其他加工技术第13-14页
   ·课题的背景及意义第14-15页
     ·国内外研究现状第14-15页
     ·MEMS应用前景及需要解决的问题第15页
   ·课题的研究目的及主要内容第15-16页
第2章 硅基MEMS光刻工艺实验第16-28页
   ·实验设备及原材料第16页
   ·硅基片清洗第16-17页
   ·热氧化第17-20页
     ·SiO_2性能概述第17-18页
     ·SiO_2热氧化原理第18-19页
     ·SiO_2膜制备第19-20页
   ·硅基片的光刻第20-27页
     ·光刻工艺流程第21-23页
     ·光刻工艺实验分析第23-27页
   ·本章小节第27-28页
第3章 硅湿法化学腐蚀机理及工艺研究第28-50页
   ·硅腐蚀湿法技术概述第28-30页
     ·各向同性腐蚀第28-29页
     ·各向异性腐蚀第29-30页
   ·单晶硅晶体结构第30-32页
   ·腐蚀模型第32-37页
     ·原子晶格结构腐蚀模型第32-33页
     ·碰撞理论模型第33-34页
     ·以能带论和电化学理论为基础的模型第34-36页
     ·晶体生长理论的模型第36-37页
   ·硅基腐蚀工艺研究第37-48页
     ·实验设备与原料第37-38页
     ·(110)硅片腐蚀特性研究第38-44页
     ·(100)硅片腐蚀特性研究第44-47页
     ·MEMS微结构阵列的制备第47-48页
   ·本章小结第48-50页
第4章 结论第50-51页
参考文献第51-54页
致谢第54-55页
附录 攻读硕士学位期间拟发表的论文第55页

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