(100)、(110)硅片湿法各向异性腐蚀特性研究
| 中文摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 目录 | 第6-8页 |
| 第1章 绪论 | 第8-16页 |
| ·MEMS简介 | 第8-10页 |
| ·MEMS的概念和基本特征 | 第8-9页 |
| ·MEMS的研究和应用领域 | 第9-10页 |
| ·微结构加工技术 | 第10-14页 |
| ·MEMS的表面加工技术 | 第10-11页 |
| ·MEMS的体硅加工技术 | 第11-13页 |
| ·其他加工技术 | 第13-14页 |
| ·课题的背景及意义 | 第14-15页 |
| ·国内外研究现状 | 第14-15页 |
| ·MEMS应用前景及需要解决的问题 | 第15页 |
| ·课题的研究目的及主要内容 | 第15-16页 |
| 第2章 硅基MEMS光刻工艺实验 | 第16-28页 |
| ·实验设备及原材料 | 第16页 |
| ·硅基片清洗 | 第16-17页 |
| ·热氧化 | 第17-20页 |
| ·SiO_2性能概述 | 第17-18页 |
| ·SiO_2热氧化原理 | 第18-19页 |
| ·SiO_2膜制备 | 第19-20页 |
| ·硅基片的光刻 | 第20-27页 |
| ·光刻工艺流程 | 第21-23页 |
| ·光刻工艺实验分析 | 第23-27页 |
| ·本章小节 | 第27-28页 |
| 第3章 硅湿法化学腐蚀机理及工艺研究 | 第28-50页 |
| ·硅腐蚀湿法技术概述 | 第28-30页 |
| ·各向同性腐蚀 | 第28-29页 |
| ·各向异性腐蚀 | 第29-30页 |
| ·单晶硅晶体结构 | 第30-32页 |
| ·腐蚀模型 | 第32-37页 |
| ·原子晶格结构腐蚀模型 | 第32-33页 |
| ·碰撞理论模型 | 第33-34页 |
| ·以能带论和电化学理论为基础的模型 | 第34-36页 |
| ·晶体生长理论的模型 | 第36-37页 |
| ·硅基腐蚀工艺研究 | 第37-48页 |
| ·实验设备与原料 | 第37-38页 |
| ·(110)硅片腐蚀特性研究 | 第38-44页 |
| ·(100)硅片腐蚀特性研究 | 第44-47页 |
| ·MEMS微结构阵列的制备 | 第47-48页 |
| ·本章小结 | 第48-50页 |
| 第4章 结论 | 第50-51页 |
| 参考文献 | 第51-54页 |
| 致谢 | 第54-55页 |
| 附录 攻读硕士学位期间拟发表的论文 | 第55页 |