| 内容提要 | 第1-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-18页 |
| ·课题研究的现状及意义 | 第7-14页 |
| ·本文写作背景 | 第14-16页 |
| ·本论文的主要内容及意义 | 第16-18页 |
| 第二章 GaSe 晶体基本性质概述 | 第18-32页 |
| ·晶体背景介绍 | 第18页 |
| ·生长方法 | 第18-21页 |
| ·基本性质 | 第21-30页 |
| ·GaSe 晶体的优缺点 | 第30-32页 |
| 第三章 不同掺杂 GaSe:X(X=Al,In,S,Er)晶体的性质 | 第32-44页 |
| ·提高纯 GaSe 晶体性能的必要性 | 第32页 |
| ·晶体掺杂杂质含量的表示方法 | 第32-34页 |
| ·杂质掺杂晶体的发展现状及性能的改进 | 第34-38页 |
| ·GaSe_(1-x)S_x 晶体的缺陷分析 | 第38-43页 |
| ·小结 | 第43-44页 |
| 第四章 GaSe:X(X=In,S)晶体的光谱特性 | 第44-53页 |
| ·晶体透过率与吸收系数转换关系 | 第44页 |
| ·主要仪器及实验样本介绍 | 第44-47页 |
| ·改进后晶体的透过率、吸收光谱特性测定 | 第47-51页 |
| ·小结 | 第51-53页 |
| 第五章 GaSe 及掺杂晶体的非线性频率转换特性 | 第53-74页 |
| ·纯及掺杂晶体的Sellmeier 方程 | 第53-57页 |
| ·主要实验仪器介绍及实验光路设计 | 第57-64页 |
| ·室温下不同掺杂GaSe 晶体倍频实验 | 第64-69页 |
| ·不同温度下晶体倍频的实验研究 | 第69-72页 |
| ·小结 | 第72-74页 |
| 论文总结 | 第74-77页 |
| 参考文献 | 第77-90页 |
| 中文摘要 | 第90-98页 |
| 英文摘要 | 第98-108页 |
| 攻读硕士期间发表论文及获奖情况 | 第108-111页 |
| 致谢 | 第111页 |