| 中文摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-8页 |
| 第1章 绪论 | 第8-17页 |
| ·太赫兹辐射的主要特点及应用 | 第8-9页 |
| ·太赫兹辐射的产生 | 第9-14页 |
| ·基于电子学方法产生太赫兹辐射 | 第10页 |
| ·基于光子学方法产生太赫兹辐射 | 第10-14页 |
| ·太赫兹辐射的传输 | 第14页 |
| ·太赫兹辐射的探测 | 第14-15页 |
| ·宽带倍频理论 | 第15页 |
| ·选题的意义、论文的主要工作及创新 | 第15-17页 |
| ·选题的意义 | 第15页 |
| ·论文的主要工作 | 第15-16页 |
| ·主要创新点 | 第16-17页 |
| 第2章 光学各向同性晶体中差频产生太赫兹辐射的共线相位匹配的研究 | 第17-32页 |
| ·在光学各向同性晶体中跨剩余射线带色散补偿相位匹配原理的介绍与理论计算 | 第17-20页 |
| ·在GaP、GaAs、InP、ZnTe和CdTe晶体中差频产生太赫兹辐射的共线相位匹配的理论研究 | 第20-27页 |
| ·温度变化对GaAs晶体共线相位匹配的影响 | 第27-30页 |
| ·本章小结 | 第30-32页 |
| 第3章 利用CO_2激光器在GaSe和GaAs晶体中差频产生太赫兹辐射的相位匹配研究 | 第32-44页 |
| ·利用CO_2激光器差频产生太赫兹辐射 | 第32-33页 |
| ·CO_2激光在GaSe晶体中差频产生THz辐射的相位匹配研究 | 第33-36页 |
| ·GaSe晶体简介 | 第33-34页 |
| ·在GaSe晶体中10 μm附近的共线相位匹配计算 | 第34-36页 |
| ·CO_2激光在GaAs晶体中差频产生THz辐射的相位匹配研究 | 第36-41页 |
| ·GaAs晶体简介 | 第36-37页 |
| ·在GaAs晶体中 10 μm附近的非共线相位匹配计算 | 第37-41页 |
| ·在周期极化的GaAs晶体中差频产生THz辐射的理论研究 | 第41-43页 |
| ·本章小结 | 第43-44页 |
| 第4章 利用CO_2激光器在Cr:GaAs晶体中差频产生太赫兹辐射的实验设计 | 第44-58页 |
| ·Cr:GaAs晶体的掺杂 | 第44页 |
| ·Cr:GaAs晶体的切割 | 第44-56页 |
| ·有效非线性系数deff的计算和Cr:GaAs晶体的切割 | 第44-54页 |
| ·Cr:GaAs晶体出射平面的切割角 | 第54-56页 |
| ·实验光路设计 | 第56-57页 |
| ·本章小结 | 第57-58页 |
| 第5章 基于混频效应的宽带倍频理论 | 第58-68页 |
| ·宽带倍频技术简介 | 第58-59页 |
| ·基于混频效应的宽带倍频理论 | 第59-66页 |
| ·本章小结 | 第66-68页 |
| 第6章 总结和展望 | 第68-69页 |
| ·总结 | 第68页 |
| ·对太赫兹技术的展望 | 第68-69页 |
| 参考文献 | 第69-73页 |
| 发表论文和科研情况说明 | 第73-74页 |
| 致谢 | 第74页 |
