PECVD制备a-SiC:H薄膜及激光退火研究
摘要 | 第1-5页 |
ABSTRACT | 第5-12页 |
第一章 绪论 | 第12-23页 |
§1.1 SiC的基本性质 | 第12-16页 |
§1.1.1 SiC的结构特性 | 第12-14页 |
§1.1.2 SiC的技术特性 | 第14-15页 |
§1.1.3 SiC的电学特性 | 第15-16页 |
§1.2 a-SiC:H薄膜的特点 | 第16页 |
§1.3 a-SiC:H薄膜的制备方法 | 第16-17页 |
§1.4 a-SiC:H薄膜的研究现状 | 第17-20页 |
参考文献 | 第20-23页 |
第二章 实验设备及薄膜表征 | 第23-34页 |
§2.1 薄膜的生长设备 | 第23-25页 |
§2.2 薄膜的退火设备 | 第25-27页 |
§2.2.1 激光退火 | 第25-26页 |
§2.2.2 常规热退火 | 第26-27页 |
§2.3 薄膜的表征 | 第27-33页 |
§2.3.1 椭偏仪 | 第27-28页 |
§2.3.2 金相显微镜 | 第28页 |
§2.3.3 原子力显微镜(AFM) | 第28-29页 |
§2.3.4 扫描电子显微镜(SEM) | 第29页 |
§2.3.5 傅里叶变换红外吸收谱(FTIR) | 第29-30页 |
§2.3.6 X射线衍射分析(XRD) | 第30-31页 |
§2.3.7 X射线光电子谱(XPS) | 第31-33页 |
参考文献 | 第33-34页 |
第三章 PECVD制备a-SiC:H薄膜 | 第34-49页 |
§3.1 薄膜样品的制备 | 第34-36页 |
§3.1.1 衬底的处理 | 第34页 |
§3.1.2 薄膜生长工艺条件 | 第34-35页 |
§3.1.3 主要的化学反应 | 第35-36页 |
§3.2 不同温度生长薄膜的表征 | 第36-42页 |
§3.2.1 扫描电子显微镜(SEM) | 第36-37页 |
§3.2.2 薄膜厚度及生长速率 | 第37-38页 |
§3.2.3 薄膜折射率及光学带隙 | 第38-40页 |
§3.2.4 傅立叶变换红外谱(FTIR) | 第40-41页 |
§3.2.5 X射线衍射谱(XRD) | 第41-42页 |
§3.3 不同射频功率生长薄膜的表征 | 第42-47页 |
§3.3.1 扫描电子显微镜(SEM) | 第42-43页 |
§3.3.2 薄膜厚度及生长速率 | 第43-44页 |
§3.3.3 薄膜折射率及光学带隙 | 第44-45页 |
§3.3.4 傅立叶变换红外谱(FTIR) | 第45-46页 |
§3.3.5 X射线衍射谱(XRD) | 第46-47页 |
§3.4 本章小结 | 第47-48页 |
参考文献 | 第48-49页 |
第四章 a-SiC:H薄膜的激光退火 | 第49-72页 |
§4.1 激光退火的研究意义 | 第49页 |
§4.2 激光退火的原理 | 第49-52页 |
§4.2.1 半导体对激光的吸收 | 第49-50页 |
§4.2.2 半导体激光退火的两种基本模型 | 第50-52页 |
§4.3 准分子激光 | 第52-54页 |
§4.3.1 准分子激光的原理 | 第52-53页 |
§4.3.2 准分子激光的应用 | 第53-54页 |
§4.4 不同能量密度下激光退火 | 第54-62页 |
§4.4.1 金相显微图 | 第55-57页 |
§4.4.2 扫描电子显微镜(SEM) | 第57-58页 |
§4.4.3 原子力显微镜(AFM) | 第58-60页 |
§4.4.4 X射线衍射谱(XRD) | 第60-61页 |
§4.4.5 傅立叶变换红外谱(FTIR) | 第61-62页 |
§4.5 不同激光脉冲数下激光退火 | 第62-65页 |
§4.5.1 傅立叶变换红外谱(FTIR) | 第63-64页 |
§4.5.2 X射线衍射谱(XRD) | 第64-65页 |
§4.6 激光退火与常规热退火比较 | 第65-68页 |
§4.6.1 金相显微图 | 第65-67页 |
§4.6.2 傅立叶变换红外谱(FTIR) | 第67-68页 |
§4.7 本章小结 | 第68-70页 |
参考文献 | 第70-72页 |
第五章 工作总结与展望 | 第72-75页 |
§5.1 工作总结 | 第72-73页 |
§5.2 工作展望 | 第73-75页 |
附录 硕士期间发表论文 | 第75-76页 |
致谢 | 第76页 |