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PECVD制备a-SiC:H薄膜及激光退火研究

摘要第1-5页
ABSTRACT第5-12页
第一章 绪论第12-23页
 §1.1 SiC的基本性质第12-16页
  §1.1.1 SiC的结构特性第12-14页
  §1.1.2 SiC的技术特性第14-15页
  §1.1.3 SiC的电学特性第15-16页
 §1.2 a-SiC:H薄膜的特点第16页
 §1.3 a-SiC:H薄膜的制备方法第16-17页
 §1.4 a-SiC:H薄膜的研究现状第17-20页
 参考文献第20-23页
第二章 实验设备及薄膜表征第23-34页
 §2.1 薄膜的生长设备第23-25页
 §2.2 薄膜的退火设备第25-27页
  §2.2.1 激光退火第25-26页
  §2.2.2 常规热退火第26-27页
 §2.3 薄膜的表征第27-33页
  §2.3.1 椭偏仪第27-28页
  §2.3.2 金相显微镜第28页
  §2.3.3 原子力显微镜(AFM)第28-29页
  §2.3.4 扫描电子显微镜(SEM)第29页
  §2.3.5 傅里叶变换红外吸收谱(FTIR)第29-30页
  §2.3.6 X射线衍射分析(XRD)第30-31页
  §2.3.7 X射线光电子谱(XPS)第31-33页
 参考文献第33-34页
第三章 PECVD制备a-SiC:H薄膜第34-49页
 §3.1 薄膜样品的制备第34-36页
  §3.1.1 衬底的处理第34页
  §3.1.2 薄膜生长工艺条件第34-35页
  §3.1.3 主要的化学反应第35-36页
 §3.2 不同温度生长薄膜的表征第36-42页
  §3.2.1 扫描电子显微镜(SEM)第36-37页
  §3.2.2 薄膜厚度及生长速率第37-38页
  §3.2.3 薄膜折射率及光学带隙第38-40页
  §3.2.4 傅立叶变换红外谱(FTIR)第40-41页
  §3.2.5 X射线衍射谱(XRD)第41-42页
 §3.3 不同射频功率生长薄膜的表征第42-47页
  §3.3.1 扫描电子显微镜(SEM)第42-43页
  §3.3.2 薄膜厚度及生长速率第43-44页
  §3.3.3 薄膜折射率及光学带隙第44-45页
  §3.3.4 傅立叶变换红外谱(FTIR)第45-46页
  §3.3.5 X射线衍射谱(XRD)第46-47页
 §3.4 本章小结第47-48页
 参考文献第48-49页
第四章 a-SiC:H薄膜的激光退火第49-72页
 §4.1 激光退火的研究意义第49页
 §4.2 激光退火的原理第49-52页
  §4.2.1 半导体对激光的吸收第49-50页
  §4.2.2 半导体激光退火的两种基本模型第50-52页
 §4.3 准分子激光第52-54页
  §4.3.1 准分子激光的原理第52-53页
  §4.3.2 准分子激光的应用第53-54页
 §4.4 不同能量密度下激光退火第54-62页
  §4.4.1 金相显微图第55-57页
  §4.4.2 扫描电子显微镜(SEM)第57-58页
  §4.4.3 原子力显微镜(AFM)第58-60页
  §4.4.4 X射线衍射谱(XRD)第60-61页
  §4.4.5 傅立叶变换红外谱(FTIR)第61-62页
 §4.5 不同激光脉冲数下激光退火第62-65页
  §4.5.1 傅立叶变换红外谱(FTIR)第63-64页
  §4.5.2 X射线衍射谱(XRD)第64-65页
 §4.6 激光退火与常规热退火比较第65-68页
  §4.6.1 金相显微图第65-67页
  §4.6.2 傅立叶变换红外谱(FTIR)第67-68页
 §4.7 本章小结第68-70页
 参考文献第70-72页
第五章 工作总结与展望第72-75页
 §5.1 工作总结第72-73页
 §5.2 工作展望第73-75页
附录 硕士期间发表论文第75-76页
致谢第76页

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