单晶硅抛光加工技术的研究

摘要	第1-5页
ABSTRACT	第5-6页
目录	第6-7页
第一章 绪论	第7-10页
·引言	第7页
·选题的目的和意义	第7-8页
·国内外的研究现状	第8-9页
·本文的研究内容	第9-10页
第二章 单晶硅性能参数的理论分析	第10-18页
·硅的物理、化学性质	第10-12页
·硅的晶体结构	第12-14页
·硅的半导体物理、化学性能	第14-15页
·硅片质量的特征参数	第15-18页
第三章 单晶硅抛光片的制备	第18-24页
·单晶硅抛光片的工艺过程	第18-24页
第四章 单晶硅晶体抛光工艺探索	第24-45页
·抛光方法介绍	第24-29页
·单晶硅的化学机械抛光工艺过程	第29-32页
·CMP工艺简介	第29-30页
·CMP实验介绍及结论	第30-32页
·结论	第32页
·单晶硅的液体喷射抛光实验	第32-45页
·液体喷射抛光原理	第32-35页
·实验结果	第35-37页
·实验结果分析	第37-38页
·工艺参数对材料去除量的影响	第38-43页
·结果讨论	第43页
·结论	第43-45页
第五章 单晶硅的测试研究方法	第45-49页
·硅片主要机械加工参数的测量	第45页
·晶向测量	第45-46页
·导电性能的测试	第46-47页
·少子寿命测量	第47-48页
·晶体缺陷分析测量	第48-49页
第六章 半导体单晶硅抛光片的应用	第49-50页
结论	第50-51页
致谢	第51-52页
参考文献	第52-53页