二氧化锡纳米结构的制备及其场发射性能研究
| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-11页 |
| 第1章 绪论 | 第11-25页 |
| ·纳米材料研究进展 | 第11-14页 |
| ·纳米材料的研究状况和发展前景 | 第11-12页 |
| ·半导体纳米材料研究进展 | 第12-13页 |
| ·宽带隙半导体纳米材料的场发射研究进展 | 第13-14页 |
| ·平板显示器 | 第14-18页 |
| ·平板显示器的发展状况 | 第14-16页 |
| ·常见平板显示器 | 第16-18页 |
| ·场发射平板显示器 | 第18-23页 |
| ·场发射平板显示器原理 | 第18-19页 |
| ·常见场发射阴极材料 | 第19-20页 |
| ·二氧化锡纳米材料简介 | 第20-22页 |
| ·场发射显示器件研究和产业化进展 | 第22-23页 |
| ·本论文的主要工作和意义 | 第23-25页 |
| 第2章 场致电子发射理论 | 第25-37页 |
| ·场致电子发射的基本概念 | 第25-26页 |
| ·Fowler—Nordheim 公式 | 第26-28页 |
| ·金属的场致电子发射 | 第28-30页 |
| ·半导体场致发射 | 第30-32页 |
| ·半导体的外场致发射 | 第30-31页 |
| ·半导体的内场致发射 | 第31-32页 |
| ·影响场致发射的因素 | 第32-34页 |
| ·逸出功 | 第32-33页 |
| ·负电子亲和势 | 第33页 |
| ·尖端场增强效应 | 第33-34页 |
| ·场发射特性评价参数 | 第34页 |
| ·场发射测试系统 | 第34-36页 |
| ·场发射理论发展困境及方向 | 第36-37页 |
| 第3章 二氧化锡纳米线的制备及其场发射性能研究 | 第37-51页 |
| ·引言 | 第37页 |
| ·实验 | 第37-39页 |
| ·实验方法简介 | 第37-38页 |
| ·实验装置简介 | 第38页 |
| ·实验原理简介 | 第38-39页 |
| ·实验操作过程 | 第39页 |
| ·样品制备与测试 | 第39-40页 |
| ·样品的制备 | 第39页 |
| ·后处理工艺 | 第39-40页 |
| ·测试表征 | 第40页 |
| ·结果与讨论 | 第40-50页 |
| ·SnO_2 纳米线的形貌和结构表征 | 第40-44页 |
| ·SnO_2 纳米线的生长机制 | 第44页 |
| ·SnO_2 纳米线的阴极射线发光性能研究 | 第44-46页 |
| ·SnO_2 纳米线的场发射性能研究 | 第46-50页 |
| ·本章小结 | 第50-51页 |
| 第4章 二氧化锡纳米带的制备及其场发射性能研究 | 第51-57页 |
| ·引言 | 第51页 |
| ·样品的制备与测试 | 第51-52页 |
| ·样品的制备 | 第51页 |
| ·测试表征 | 第51-52页 |
| ·结果与讨论 | 第52-56页 |
| ·SnO_2 纳米带的形貌和结构表征 | 第52-53页 |
| ·SnO_2 纳米带的生长机制 | 第53页 |
| ·SnO_2 纳米带的场发射性能研究 | 第53-55页 |
| ·SnO_2 纳米线与纳米带的场发射性能对比 | 第55-56页 |
| ·本章小结 | 第56-57页 |
| 第5章 催化剂对二氧化锡纳米结构生长的影响 | 第57-67页 |
| ·引言 | 第57页 |
| ·样品的制备与测试 | 第57-58页 |
| ·样品的制备 | 第57-58页 |
| ·测试表征 | 第58页 |
| ·结果与讨论 | 第58-66页 |
| ·催化剂对生长机制的影响 | 第58-64页 |
| ·催化剂Au 层的厚度对纳米结构生长的影响 | 第64页 |
| ·生长时间对纳米结构生长的影响 | 第64-66页 |
| ·本章小结 | 第66-67页 |
| 第6章 总结与展望 | 第67-69页 |
| ·总结 | 第67-68页 |
| ·展望 | 第68-69页 |
| 参考文献 | 第69-74页 |
| 致谢 | 第74-75页 |
| 附录：攻读硕士学位期间发表的论文 | 第75页 |
