| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-12页 |
| ·研究背景 | 第8-9页 |
| ·DC/DC 转换器空间应用可靠性问题 | 第8页 |
| ·PHM 方法应用与意义 | 第8-9页 |
| ·电子器件和系统PHM 方法的研究现状 | 第9-11页 |
| ·论文主要工作与结构 | 第11-12页 |
| 第二章 VDMOS 器件与DC/DC 转换器辐射损伤表征技术 | 第12-30页 |
| ·辐射失效机理与失效模式研究 | 第12-15页 |
| ·VDMOSFET 辐射失效机理与失效模式 | 第12-14页 |
| ·DC/DC 转换器辐射失效机理与失效模式 | 第14页 |
| ·基于VDMOSFET 的DC/DC 转换器辐射失效机理分析 | 第14-15页 |
| ·VDMOSFET 辐照实验和表征参量优选 | 第15-24页 |
| ·辐照实验设计 | 第16页 |
| ·VDMOSFET 电参数退化 | 第16-19页 |
| ·VDMOSFET 噪声参数退化 | 第19-22页 |
| ·表征参量优选 | 第22-24页 |
| ·DC/DC 转换器辐照实验和表征参量优选 | 第24-28页 |
| ·验方案设计 | 第24页 |
| ·DC/DC 转换器电参数退化 | 第24-26页 |
| ·DC/DC 转换器噪声参数退化 | 第26页 |
| ·表征参量优选 | 第26-28页 |
| ·本章小结 | 第28-30页 |
| 第三章 辐射损伤预测模型 | 第30-46页 |
| ·DC/DC 转换器与VDMOSFET 之间的关系 | 第30-33页 |
| ·辐射损伤预测模型建立 | 第33-43页 |
| ·表征参量辐射退化函数关系建立 | 第33-41页 |
| ·表征参量退化间函数关系实验验证 | 第41-43页 |
| ·辐射损伤预测模型应用 | 第43-45页 |
| ·预兆单元设计的理论依据 | 第43-44页 |
| ·用于辐射加固 | 第44-45页 |
| ·本章小结 | 第45-46页 |
| 第四章 预兆单元设计与验证 | 第46-56页 |
| ·预兆单元设计思路和预警方案 | 第46-47页 |
| ·预兆单元电路与版图设计 | 第47-50页 |
| ·模拟与实验验证 | 第50-55页 |
| ·本章小结 | 第55-56页 |
| 第五章 总结与展望 | 第56-58页 |
| ·论文总结 | 第56页 |
| ·展望 | 第56-58页 |
| 致谢 | 第58-60页 |
| 参考文献 | 第60-64页 |
| 作者在读期间研究成果 | 第64-65页 |
