| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-9页 |
| 前言 | 第9-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-20页 |
| ·研究背景 | 第10-13页 |
| ·研究现状 | 第13-15页 |
| ·本论文研究内容 | 第15-16页 |
| 参考文献 | 第16-20页 |
| 第二章 理论基础及计算方法 | 第20-31页 |
| ·密度泛函理论 | 第20-23页 |
| ·超元胞模型和平面波方法 | 第23-25页 |
| ·赝势 | 第25-27页 |
| ·计算软件包和硬件介绍 | 第27-28页 |
| 参考文献 | 第28-31页 |
| 第三章 小分子在Ga_2O_3(100)表面的吸附性质 | 第31-42页 |
| ·引言 | 第31-33页 |
| ·模型和计算细节 | 第33-35页 |
| ·Ga_2O_3(100)表面和H原子的吸附 | 第35-37页 |
| ·丙烷分子的吸附 | 第37-38页 |
| ·讨论 | 第38页 |
| 参考文献 | 第38-42页 |
| 第四章 丙烷在Ga_2O_3(100)表面的脱氢反应机理 | 第42-70页 |
| ·引言 | 第42-44页 |
| ·计算细节 | 第44页 |
| ·丙烷在催化剂Ga_2O_3(100)表面的C-H键的活化 | 第44-52页 |
| ·O(2)位C-H键的活化 | 第47-49页 |
| ·O(3)位C-H键的活化 | 第49页 |
| ·Ga位C-H键的活化 | 第49-52页 |
| ·丙烯在Ga_2O_3(100)表面的生成 | 第52-60页 |
| ·丙基自由基脱氢生成丙烯 | 第52-55页 |
| ·丙氧物种脱氢生成丙烯 | 第55-58页 |
| ·丙镓物种脱氢生成丙烯 | 第58-60页 |
| ·氢原子的脱附 | 第60-64页 |
| ·氢原子的转移 | 第60-61页 |
| ·氢气和水的形成 | 第61-64页 |
| ·讨论与结论 | 第64-66页 |
| ·催化剂中Ga起到的作用 | 第64-65页 |
| ·反应的决速步骤 | 第65-66页 |
| ·DDH和ODH | 第66页 |
| ·小结 | 第66-67页 |
| 参考文献 | 第67-70页 |
| 第五章 CO_2在丙烷在Ga_2O_3(100)表面脱氢反应体系中的作用 | 第70-83页 |
| ·引言 | 第70-71页 |
| ·计算细节 | 第71页 |
| ·Ga_2O_3(100)表面的氧化再生 | 第71-75页 |
| ·CO_2氧化再生催化剂 | 第71-72页 |
| ·HCOO氧化再生催化剂 | 第72-74页 |
| ·H_2O氧化再生催化剂 | 第74-75页 |
| ·HCOOH在催化剂表面的生成 | 第75-77页 |
| ·HCOOH在催化剂表面的分解 | 第77-81页 |
| ·C-H键的断裂 | 第77-79页 |
| ·C-O键的断裂 | 第79-81页 |
| ·讨论与结论 | 第81页 |
| ·CO_2通过逆水煤气反应提高反应的活性 | 第81页 |
| ·CO_2通过氧化再生Ga203提高反应的活性 | 第81页 |
| ·小结 | 第81-82页 |
| 参考文献 | 第82-83页 |
| 第六章 表面能调节对五重孪晶结构贵金属晶体生长的控制 | 第83-99页 |
| ·引言 | 第83-90页 |
| ·计算细节 | 第90-93页 |
| ·晶体表面能的变化 | 第93-94页 |
| ·血重孪晶贵金属的生长机理的讨论 | 第94-96页 |
| ·小结 | 第96页 |
| 参考文献 | 第96-99页 |
| 总结 | 第99-101页 |
| 作者简介 | 第101页 |
| 论文发表情况 | 第101-102页 |
| 致谢 | 第102-103页 |
