| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 序言 | 第8-9页 |
| 第一章 可靠性概述 | 第9-11页 |
| ·可靠性鉴定试验(reliability qualification test) | 第9-10页 |
| ·半导体产品可靠性测试 | 第10-11页 |
| 第二章 存储器概述 | 第11-17页 |
| ·半导体存储器发展方向 | 第11-13页 |
| ·半导体存储器分类 | 第11-12页 |
| ·非易失性存储器研发历程 | 第12-13页 |
| ·闪存介绍 | 第13页 |
| ·非易失性存储器结构 | 第13-14页 |
| ·非易失型存储器（EPROM）的存储单元区域的结构 | 第14页 |
| ·非易失型存储器（EPROM）的存储单元擦写状态 | 第14-15页 |
| ·电荷写入机理 | 第15-16页 |
| ·电荷擦除机理 | 第16-17页 |
| 第三章 数据保持能力研究 | 第17-40页 |
| ·数据保持能力可靠性简介 | 第17-24页 |
| ·EPROM 数据保持能力定义 | 第17页 |
| ·影响数据保持能力可靠性的因素 | 第17-18页 |
| ·2T- EPROM 的结构介绍 | 第18-19页 |
| ·电荷丢失机制的分类 | 第19-20页 |
| ·浮栅上电荷漏电的方向 | 第20-21页 |
| ·活化能的定义和计算方法 | 第21-24页 |
| ·数据保持能力研究实验方法 | 第24-30页 |
| ·EPROM 存储单元 | 第24-26页 |
| ·防止电荷丢失的工艺改进方法的选择 | 第26页 |
| ·实验思路和步骤 | 第26-28页 |
| ·数据写入的过程 | 第28页 |
| ·数据读取测试 | 第28-29页 |
| ·不同活化能对应的加速老化时间 | 第29-30页 |
| ·数据保持能力研究实验结果 | 第30-40页 |
| ·预处理分片的晶圆测试 | 第30-34页 |
| ·最好分片Ea 值 | 第34-35页 |
| ·基于Ea 的工艺优化 | 第35-36页 |
| ·150 度下1000 小时可靠性评估用的芯片筛选方式 | 第36-37页 |
| ·最终实验结果 | 第37-39页 |
| ·总结 | 第39-40页 |
| 第四章 结语 | 第40-41页 |
| 参考文献 | 第41-42页 |
| 攻读学位期间公开发表的论文 | 第42-43页 |
| 致谢 | 第43-44页 |
