| 摘要 | 第1-8页 |
| Abstract | 第8-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-20页 |
| ·自旋电子学的发展历程 | 第10-11页 |
| ·自旋相关输运的几个核心物理问题 | 第11-17页 |
| ·自旋相关输运的基本概念——自旋极化和自旋相关散射 | 第11-12页 |
| ·磁电阻效应 | 第12-15页 |
| ·各向异性磁电阻效应 | 第13页 |
| ·正常磁电阻效应 | 第13页 |
| ·顺行磁电阻 | 第13-14页 |
| ·巨磁电阻效应 | 第14页 |
| ·自旋相关的隧道效应和隧道磁电阻 | 第14页 |
| ·掺杂稀土锰氧化物的庞磁电阻效应 | 第14-15页 |
| ·双电流模型 | 第15页 |
| ·层间交换耦合的振荡效应和磁量子阱态 | 第15-16页 |
| ·自旋积累和自旋弛豫效应 | 第16-17页 |
| ·半导体自旋电子学 | 第17-18页 |
| ·本论文的研究目的和意义 | 第18-20页 |
| 第二章 薄膜制备与表征技术 | 第20-26页 |
| ·纳米薄膜的制备 | 第20-21页 |
| ·磁控溅射 | 第20-21页 |
| ·射频溅射 | 第21页 |
| ·纳米薄膜的制备的表征 | 第21-26页 |
| ·样品厚度表征 | 第21-22页 |
| ·表面形貌表征 | 第22-23页 |
| ·结构表征 | 第23-24页 |
| ·磁性质表征 | 第24页 |
| ·样品的电阻和磁电阻的测量 | 第24-26页 |
| 第三章 Ni_(80)Fe_(20)/ITO三层薄膜制备与性质研究 | 第26-31页 |
| ·样品的制备与测量 | 第26页 |
| ·实验结果与分析 | 第26-30页 |
| ·磁滞回线 | 第26-27页 |
| ·矫顽力随ITO厚度的变化关系 | 第27-28页 |
| ·饱和磁化强度随ITO厚度的变化 | 第28页 |
| ·反铁磁交换耦合强度随ITO厚度的变化 | 第28-30页 |
| ·本章小结 | 第30-31页 |
| 第四章 Ni_(80)Fe_(20)/ITO多层薄膜制备与性质研究 | 第31-42页 |
| ·样品的制备与测量 | 第31页 |
| ·实验结果与分析 | 第31-40页 |
| ·磁性质 | 第31-32页 |
| ·V-I特性 | 第32-33页 |
| ·电阻率与温度的关系 | 第33-34页 |
| ·总磁电阻与铁磁层厚度的关系 | 第34页 |
| ·总磁电阻与温度的关系 | 第34-37页 |
| ·电阻率与电流的关系 | 第37-38页 |
| ·磁电阻与电流的关系 | 第38-40页 |
| ·本章小结 | 第40-42页 |
| 参考文献 | 第42-46页 |
| 硕士期间论文发表情况 | 第46-47页 |
| 致谢 | 第47页 |
